[发明专利]蚀刻装置、浸润槽及蚀刻方法有效

专利信息
申请号: 200710100965.8 申请日: 2007-04-28
公开(公告)号: CN101136309A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 陈立锐;傅中其;张庆裕;梁辅杰;许林弘;陈俊光;高蔡胜 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 邢雪红
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 蚀刻 装置 浸润 方法
【权利要求书】:

1.一种蚀刻装置,包括:

一成像镜片模块;

一基板平台,位于该成像镜片模块下方,用于握持一基板;

一流体保存模块,用于限制流体于介于成像镜片模块与位于该基板平台上的一基板间的一空间处;以及

一加热元件,整合于该流体储存模块内,且邻近于上述空间处,其中该加热元件包括:

一密封开口,该密封开口设置于该流体储存模块的一顶端部或一侧壁部;

一密封物,用于密封该密封开口,以密封该流体储存模块内的该加热元件,该密封物不溶于该流体;以及

该加热元件的多个部份,可局部地操作以控制温度。

2.如权利要求1所述的蚀刻装置,其特征在于,该密封物的材料选择自由合金、陶瓷、聚合物以及上述材料的组合所组成群组。

3.如权利要求1所述的蚀刻装置,其特征在于,该密封物的材料选选择自由不锈钢、石英、陶瓷低热传玻璃、铁氟龙、塑料聚合物以及上述材料的组合所组成群组。

4.如权利要求1所述的蚀刻装置,其特征在于,该密封开口具有介于1~10厘米的尺寸。

5.如权利要求1所述的蚀刻装置,其特征在于,该加热单元的加热方式选择自由线圈加热、流体加热、灯泡加热或上述方式的组合所组成群组。

6.如权利要求1所述的蚀刻装置,其特征在于,该加热元件具有少于该流体保存模块径长宽度1/15的一壁厚度。

7.如权利要求1所述的蚀刻装置,其特征在于,该加热元件包括位于该流体保存模块内的多个加热部。

8.如权利要求1所述的蚀刻装置,其特征在于,加热元件的形状选择自由圆形、弯曲形、直线形、弧形及上述形状组合所组成的群组。

9.一种浸润槽,适用于一浸润型蚀刻装置,包括:

一流体保存模块,以供应用于该浸润型蚀刻工艺的一流体;以及

一加热元件,整合于该流体保存模块内,其中该加热元件包括:

一密封开口,该密封开口设置于该流体储存模块的一顶端部或一侧壁部;

一密封物,用于密封该密封开口,以密封该流体储存模块内的该加热元件,该密封物不溶于该流体;以及

一非均匀温度补偿装置,整合于该加热元件上。

10.如权利要求9所述的浸润槽,其特征在于,该流体储存模块包括分别设置于该流体储存模块的一底部的一第一流体供应单元以及一第二流体供应单元,以分别供应一第一流体与一第二流体。

11.如权利要求10所述的浸润槽,其特征在于,该第一流体包括一浸润流体。

12.如权利要求10所述的浸润槽,其特征在于,该第二流体包括空气。

13.如权利要求9所述的浸润槽,其特征在于,该密封物的材料选择自由合金、陶瓷、聚合物以及上述材料组合物所组成的群组。

14.如权利要求9所述的浸润槽,其特征在于,该加热单元的加热方式选择自由线圈加热、流体加热、照射源加热或上述加热方式组合所组成的群组。

15.一种蚀刻方法,包括下列步骤:

提供一蚀刻装置,该蚀刻装置包括整合在一起的一流体保存模块与一加热元件;

通入一浸润流体至位于一成像镜片模块与欲图案化的一基板间的一空间处;

通过控制该加热元件以加热该浸润流体与该基板;以及

对该基板施行一曝光程序并通过该浸润流体。

16.如权利要求15所述的蚀刻方法,其特征在于,该加热元件选择自下列群组之一:

为不溶于该浸润流体的一密封物而密封于该流体保存模块内的该加热元件;

为设置于该流体保存模块内的一顶部及侧部的一密封开口所密封的该加热元件;以及

具有多个用于局部温度控制的加热部的该加热元件。

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