[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本申请基于日本专利申请No.2006-121575，其内容通过引用并入此处。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造方法，特别涉及一种具有焊料凸点电极的半导体器件及其制造方法。

背景技术

可以在日本未决公开专利公开No.H6-140465(专利文献1)中找到现有公知的半导体器件的一个实例。在该文献中描述的半导体器件包括通常由聚酰亚胺膜构成的绝缘基底材料，在其两个表面上贴装有具有焊料凸点电极的IC芯片，以及具有焊料凸点电极的电路布线板。Cu膜与绝缘基底材料紧密接触。除了专利文献1之外的与本发明相关的现有技术文献包括日本未决公开专利公开No.H11-345933(专利文献2)以及No.2001-217388(专利文献3)。

发明内容

然而，在专利文献1中描述的半导体器件中，组成焊料凸点电极的焊料材料通过Cu膜扩散，到达了绝缘基底材料和Cu膜之间的界面，并且因此绝缘基底材料和Cu膜变得更易于彼此分离。

根据本发明，提供了一种半导体器件，包括：绝缘膜；配置在该绝缘膜中的导电部件；第一电子电路组件，其配置在该绝缘膜的第一表面侧上并且通过第一焊料电连接到该导电部件；第二电子电路组件，其配置在该绝缘膜的与第一表面侧相对的第二表面侧上，并且通过第二焊料电连接到该导电部件；第一扩散阻挡金属膜，其配置在导电部件以及第一焊料之间，且防止第一焊料的扩散；第二扩散阻挡金属膜，其构成至少部分导电部件，且防止第二焊料的扩散；以及粘合金属膜，其配置在该绝缘膜的第一表面上以及导电部件上，与该绝缘膜以及导电部件相接触，且与第一焊料的粘合性和第一扩散阻挡金属膜的粘合性相比，其与该绝缘膜的粘合性更强。

在该半导体器件中，第一扩散阻挡金属膜配置在粘合金属膜和第一焊料之间，并且第二扩散阻挡金属膜配置在粘合金属膜以及第二焊料之间。由于这些扩散阻挡金属膜的作用，可以防止该焊料到达绝缘膜和粘合金属膜之间的界面。因此，可以实现不易于导致绝缘膜以及粘合金属膜之间的分离的半导体器件。

根据本发明，还提供一种制造半导体器件的方法，其包括：在绝缘膜中形成导电部件，该导电部件的至少一部分由第二扩散阻挡金属膜构成；在绝缘膜以及导电部件上形成粘合金属膜，从而使得该粘合金属膜与绝缘膜以及导电部件相接触；在该粘合金属膜上形成第一扩散阻挡金属膜；在第一扩散阻挡金属膜上通过第一焊料设置第一电子电路组件，从而使得第一电子电路组件电连接到该导电部件；以及在绝缘膜的与第一电子电路组件相对的一侧上通过第二焊料设置第二电子电路组件，从而使得第二电子电路组件电连接到该导电部件，其中与第一焊料的粘合性以及第一扩散阻挡金属膜的粘合性相比，所述粘合金属膜具有的与所述绝缘膜的粘合性更强，并且该第一和第二扩散阻挡金属膜分别防止了第一和第二焊料的扩散。

该方法包括如下步骤：通过使用第二扩散阻挡金属膜形成配置在其至少一部分中的导电部件的步骤，以及在所述粘合金属膜上形成第一扩散阻挡金属膜的步骤。因此，所制造的半导体器件具有配置在粘合金属膜和第一焊料之间的第一扩散阻挡金属膜，并且还具有配置在粘合金属膜和第二焊料之间的第二扩散阻挡金属膜。由于这些扩散阻挡金属膜的作用，可以防止焊料到达绝缘膜和粘合金属膜之间的界面。因此，可以实现不易于导致绝缘膜以及粘合金属膜之间的分离的半导体器件。

根据本发明，可以实现不易于导致绝缘膜以及粘合金属膜之间的分离的半导体器件及上述半导体器件的制造方法。

附图说明

参考附图，根据以下说明，本发明的上述及其他目的、特征以及优点将变得更加明显，其中：

图1示出了根据本发明的半导体器件的实施例的剖面图；

图2示出了图1所示的部分半导体器件的剖面图；

图3示出了图1所示的部分半导体器件的平面图；

图4A到4C示出了本发明的半导体器件的制造方法的实施例的工艺步骤图；

图5A到5C示出了本发明的半导体器件的制造方法的实施例的工艺步骤图；

图6A到6C示出了本发明的半导体器件的制造方法的实施例的工艺步骤图；

图7A到7C示出了本发明的半导体器件的制造方法的实施例的工艺步骤图；

图8A以及8B示出了本发明的半导体器件的制造方法的实施例的工艺步骤图；

图9A以及9B示出了本发明的半导体器件的制造方法的实施例的工艺步骤图；

图10示出了实施例的变型例的剖面图；

图11示出了实施例的另一变型例的剖面图；