[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，包含：

(a)提供一基板，形成一非晶硅层于该基板上；

(b)于(a)步骤后，用一激光退火照射该基板的该非晶硅层的部分区域进行侧向长晶，以形成多个多晶硅区域；

(c)于(b)步骤后，对该基板进行表面氧化层处理；以及

(d)于(c)步骤后，对该基板实施一全面性激光退火照射。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该基板与该非晶硅层之间包含形成一氮化硅膜于该基板上。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其中还包括形成一氧化硅膜于该氮化硅膜上。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该部分区域为一薄膜晶体管的电路布局区域。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中在步骤(b)中，侧向长晶原理的激光退火为循序性侧向结晶、固态激光或细光束方向性结晶。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中在步骤(c)后，该全面性激光退火包含一线束准分子激光退火照射。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该表面氧化层处理包含：

(a)使用稀释氢氟酸溶液和臭氧水清洗该基板；以及

(b)于(a)步骤后以高温高压水蒸气或氧气在该非晶硅层上形成一氧化层。