[发明专利]制备半导体衬底的方法有效
| 申请号： | 200710101162.4 | 申请日： | 2007-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101071767A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 村上贤史;森本信之;西畑秀树;远藤昭彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社上睦可 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/265;H01L21/302;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;韦欣华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 衬底 方法 | ||
1.一种生产半导体衬底的方法，其包括下述步骤：将氢离子注入表面上无氧化物膜的活性层晶片以形成氢离子注入层，注入不同于氢的其它离子直到自氢离子注入表面侧的深度比氢离子注入层浅的位置，在不使用氧化物的条件下将活性层晶片自离子注入侧直接层压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落。
2.一种生产半导体衬底的方法，其包括下述步骤：将不同于氢的其它离子注入表面上无氧化物膜的活性层晶片直到比活性层晶片剥落区域浅的位置，将氢离子注入剥落区域以形成氢离子注入层，在不使用氧化物的条件下将活性层晶片自离子注入侧层直接压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落。
3.一种生产半导体衬底的方法，其包括下述步骤：在活性层晶片上形成氧化物膜，将氢离子注入活性层晶片中以形成氢离子注入层，注入不同于氢的其它离子直到自氢离子注入表面侧的深度比氢离子注入层浅的位置，除去活性层晶片上的氧化物膜，在不使用氧化物的条件下将活性层晶片自离子注入侧直接层压到支承衬底晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落。
4.一种生产半导体衬底的方法，其包括下述步骤：在活性层晶片上形成氧化物膜，将不同于氢的其它离子注入该活性层晶片直到比活性层晶片剥落区域浅的位置，将氢离子注入剥落区域以形成氢离子注入层，从活性层晶片除去氧化物膜，在不使用氧化物的条件下将活性层晶片自离子注入侧直接层压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落。
5.一种依照权利要求1-4中任意一项所述制备半导体衬底的方法，其中在活性层晶片与支承衬底晶片层压之前进行等离子处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
