[发明专利]背照式传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种背照式传感器，包括：

半导体基板，具有正面与背面；

多个像素，形成于该半导体基板的该正面上；

介电层，置于该多个像素上方；

多个金属层，位于该介电层中；

多个阵列区域，位于该半导体基板内，且根据该多个像素而配置，其中至少两个该阵列区域具有彼此相异的辐射响应特性；

多个滤光片，设置于该半导体基板的该背面下方，其中所述多个像素、阵列区域及滤光片都位于所述多个金属层的下方；以及

多个微镜头，设置于所述多个像素与所述半导体基板的背面间，或是设置于所述多个滤光片与所述半导体基板的背面间。

2.如权利要求1所述的背照式传感器，其中该多个阵列区域包括第一、第二阵列区域，且该第一阵列区域的结深大于该第二阵列区域的结深。

3.如权利要求2所述的背照式传感器，其中该第一阵列区域的掺杂物浓度大于该第二阵列区域的掺杂物浓度。

4.如权利要求1所述的背照式传感器，其中该多个像素用于形成有源式像素传感器、或无源式像素传感器。

5.如权利要求1所述的背照式传感器，其中该介电层包括氧化硅。

6.如权利要求5所述的背照式传感器，其中该氧化硅掺杂有碳。

7.如权利要求5所述的背照式传感器，其中该氧化硅掺杂有氟。

8.如权利要求1所述的背照式传感器，其中该半导体基板的厚度大体为3微米。

9.一种背照式传感器的形成方法，包括：

提供半导体基板，该半导体基板具有正面与背面；

形成第一与第二像素于该半导体基板的该正面上；

形成介电层于该第一与第二像素上方；

形成多个金属层于该介电层中；

形成该半导体基板的第一掺杂区域，对准该第一像素；

形成该半导体基板的第二掺杂区域，对准该第二像素，

其中该第一、第二掺杂区域具有彼此相异的辐射响应特性；

设置多个滤光片于该半导体基板的该背面下，其中该第一及第二像素、第一及第二掺杂区域及滤光片位于该多个金属层的下方；以及

设置多个微镜头于所述多个像素与所述半导体基板的背面间，或于所述多个滤光片与所述半导体基板的背面间。

10.如权利要求9所述的背照式传感器的形成方法，其中该第一掺杂区域的结深大于该第二掺杂区域的结深。

11.如权利要求9所述的背照式传感器的形成方法，其中该第一掺杂区域的掺杂物浓度大于该第二掺杂区域的掺杂物浓度。

12.如权利要求9所述的背照式传感器的形成方法，其中该多个像素用于形成有源式像素传感器或无源式像素传感器。

13.如权利要求9所述的背照式传感器的形成方法，其中该介电层包括掺杂有碳或氟的氧化硅。

14.如权利要求9所述的背照式传感器的形成方法，还包括：

形成第三像素于该半导体基板的该正面上；以及

形成该半导体基板的第三掺杂区域，对准该第三像素；

其中该第一、第二、第三掺杂区域具有彼此相异的辐射响应特性。

15.如权利要求9所述的背照式传感器的形成方法，其中该半导体基板的厚度大体为3微米。