[发明专利]相变存储单元的热隔绝

权利要求书

1.一种存储器，包括：

存储单元阵列，每个存储单元包括电阻元件；

横向围绕在每个存储单元的电阻元件周围的第一绝缘材料；和

存储单元之间用于热隔绝每个存储单元的散热装置。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中第一绝缘材料选自于由SiO₂、多孔SiO₂、气凝胶、干凝胶和低k电介质构成的组。

3.根据权利要求1所述的存储器，其中散热装置包括选自于由SiN、SiON、ALN、TiO₂和Al₂O₃构成的组的第二绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的存储器，其中散热装置包括与第一绝缘材料接触的第二绝缘材料，以及

其中第一绝缘材料比第二绝缘材料具有更低的导热系数。

5.根据权利要求1所述的存储器，其中电阻元件包括相变材料元件。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中散热装置包括电绝缘材料和导电材料之一。

7.根据权利要求1所述的存储器，其中配置电阻元件用于响应写入操作来增加温度。

8.根据权利要求1所述的存储器，其中电阻元件包括磁性存储元件。

9.一种存储器，包括：

电阻存储单元的阵列；

在存储单元周围的具有第一导热系数的绝缘材料；和

在存储单元行之间用于热隔绝存储单元的材料线，该材料具有大于第一导热系数的第二导热系数。

10.根据权利要求9所述的存储器，其中线选自于由SiN、金属和多晶硅构成的组。

11.根据权利要求9所述的存储器，其中线包括电力线。

12.根据权利要求9所述的存储器，其中绝缘材料选自于由SiO₂、BPSG、BSG和低k电介质构成的组。

13.根据权利要求9所述的存储器，其中存储单元包括相变存储单元。

14.一种半导体存储器件，包括：

电阻存储单元的阵列；和

用于消散在写入操作期间来自每个存储单元的热量以防止相邻的存储单元受热的装置。

15.根据权利要求14所述的存储器，其中存储单元包括Ge、Sb、Te、Ga、As、In、Se和S中的至少一种。

16.一种用于制造存储器的方法，该方法包括：

提供电阻存储单元的阵列，每个电阻存储单元包括一电阻元件；

通过具有第一导热系数的第一绝缘材料包围每个电阻元件；以及

在电阻元件之间填充第二材料，第二材料具有大于第一导热系数的第二导热系数。

17.根据权利要求16所述的方法，其中提供电阻存储单元的阵列包括提供相变存储单元的阵列。

18.根据权利要求16所述的方法，其中通过第一绝缘材料包围每个电阻元件包括通过选自于由SiO₂、多孔SiO₂、气凝胶、干凝胶和低k电介质构成的组的第一绝缘材料包围每个电阻元件。

19.根据权利要求16所述的方法，其中在电阻元件之间填充第二绝缘材料包括在电阻元件之间填充选自于由SiN、SiON、ALN、TiO₂和Al₂O₃构成的组的第二绝缘材料。

20.一种用于制造存储器的方法，该方法包括：

提供电阻存储单元的阵列，每个电阻存储单元包括一电阻元件；以及

在存储单元的行之间提供材料线，用于热隔绝存储单元。

21.根据权利要求20所述的方法，其中提供材料线包括提供与电阻元件共面的金属线。

22.根据权利要求20所述的方法，其中提供材料线包括提供与电阻元件公面的地线和位线之一。

23.根据权利要求20所述的方法，其中提供电阻存储单元的阵列包括提供相变存储单元的阵列。