[发明专利]单栅非易失性快闪存储单元

权利要求书

1、一种非易失性浮栅存储单元，包括：

第一导电类型的衬底；

在所述衬底中的第二导电类型的第一和第二区域，彼此间隔开，限定在其间的沟道区域；

第一栅，其与所述衬底绝缘，并且位于该沟道区域的第一部分和第一区域之上且与其充分电容性耦接；以及

第二栅，其与所述衬底绝缘，与第一栅间隔开并且位于沟道区域的与第一部分不同的第二部分之上，且与第二区域少量重叠或不重叠。

2、如权利要求1所述的存储单元，其中所述第一栅和所述第二栅在同一步骤中形成。

3、如权利要求2所述的存储单元，其中所述沟道区域是连续的沟道区域。

4、如权利要求3所述的存储单元，其中所述第一导电性是P型。

5、如权利要求4所述的存储单元，其中所述第一和第二栅由多晶硅形成。

6、如权利要求2所述的存储单元，进一步包括：

第二导电类型的第三区域，其在所述第一区域和所述第二区域之间，自其间隔开以限定在第三区域和第一区域之间的第二沟道区域，和限定在第三区域和第二区域之间的第三沟道区域；

其中第一栅位于第二沟道区域的一部分之上，且与第一区域充分电容性耦接；以及

其中所述第二栅位于第三沟道区域之上，且与第二区域少量重叠或不重叠。

7、如权利要求6所述的存储单元，其中第二和第三沟道区域基本上共线。

8、如权利要求6所述的存储单元，进一步包括：

在所述衬底中的第二导电类型的第四区域，与所述第一，第二和第三区域间隔开，且第四沟道区域在所述第四区域和所述第一区域之间；

在所述第四沟道区域中的所述第一区域和所述第四区域之间的绝缘区域。

9、如权利要求8所述的存储单元，其中所述绝缘区域与所述第一区域直接相邻和邻接。

10、如权利要求2所述的存储单元，进一步包括：

在所述衬底中与所述第一区域间隔开以限定所述第一区域和所述第三区域之间的第二沟道区域的第二导电类型的第三区域；

在所述第一区域和所述第三区域之间的所述第二沟道区域中的绝缘体。