[发明专利]在真空中涂覆氮化硅薄膜的方法

权利要求书

1.在真空中向固定放置的衬底上涂覆氮化硅薄膜的方法，其中 向真空箱中馈送工作气体的混合物：氮气和氩气，从至少一个离子源 形成离子束，由定向离子束溅射硅靶，并通过扫描衬底的表面溅射材 料分层沉积到衬底上；而且，离子源与靶共同相对于衬底作相对运动， 其特征在于在离子源相对于衬底的相对运动的每个循环，形成厚度在 2-10纳米范围内的至少一层，及在工作气体的混合物中引入氦气。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于工作气体的混合物 中氦气的体积百分比保持在2-20%的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于溅射材料流是 给定的长直线形；在该情况下溅射材料流的扫描幅度和线性部分的长 度超过衬底的各个线性尺寸。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于在沉积薄膜的过程 中箱内的工作压强不超过10^-1帕。

5.在真空中向固定放置的衬底上沉积氮化硅薄膜的方法，其中 向真空箱中馈送工作气体的混合物：氮气和氩气，从至少两个离子源 形成离子束，由定向离子束溅射硅靶，且溅射材料分层沉积到衬底的 表面上，其特征在于离子源与靶共同相对于衬底的表面固定安装，以 脉冲模式溅射靶，以该方式前一与后一脉冲之间的间隔为至少0.1 秒；在该情况下一个脉冲内形成厚度在2-10纳米范围内的至少一层， 及在工作气体的混合物中引入氦气。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于工作气体的混合物 中氦气的体积百分比保持在2-20%的范围内。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于可绕其轴旋转 地安装离子源。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于在沉积薄膜的过程 中箱内的工作压强不超过10^-1帕。