[发明专利]使用层叠掩模制造用于垂直写极的环绕屏蔽件的方法

权利要求书

1.一种制造用于垂直磁记录的写头的方法，该方法包括：

提供衬底；

沉积磁写极材料；

在该磁写极材料之上形成掩模结构，该掩模结构包括硬掩模层和终点检测层；

进行第一离子研磨以形成写极；

沉积非磁材料；

进行第二离子研磨以去除部分所述非磁材料层且当达到所述终点检测层时终止该离子研磨；

进行反应离子蚀刻RIE从而去除所述终点检测层；以及

沉积磁材料。

2.根据权利要求1的方法，其中该硬掩模层包括氧化铝且该终点检测层包括选自Ta₂O₅、Ta和SiO₂构成的组的材料。

3.根据权利要求1的方法，其中该第二离子研磨在Ar气氛中进行。

4.根据权利要求1的方法，其中该第二离子研磨相对于法线以一角度进行。

5.根据权利要求1的方法，其中该第二离子研磨相对于法线以45至65度角进行。

6.根据权利要求1的方法，其中该第二离子研磨相对于法线以45至65度角在Ar气氛中采用终点检测进行。

7.根据权利要求1的方法，其中该终点检测层包括具有比所述硬掩模层的材料的原子质量更高的原子质量的材料。

8.根据权利要求1的方法，其中该硬掩模层具有5至30nm的厚度。

9.根据权利要求1的方法，其中该终点检测层具有2-30nm的厚度。

10.根据权利要求1的方法，其中该硬掩模层具有5至30nm的厚度且该终点检测层具有2至30nm的厚度。

11.一种制造用于垂直记录的磁写头的方法，该方法包括：

提供衬底；

沉积磁写极材料在该衬底之上；

形成掩模结构在该写极材料之上，该掩模结构包括沉积在该写极材料上的一层氧化铝掩模层和沉积在该氧化铝掩模层之上的终点检测层；

进行第一离子研磨以去除未被该掩模结构覆盖的部分所述磁极材料从而形成写极结构；

沉积一层共形沉积的氧化铝即ALD层；

进行第二离子研磨以去除部分所述ALD层，当到达该终点检测层时终止该离子研磨；

进行反应离子蚀刻RIE以去除该终点检测层，留下暴露的所述氧化铝掩模层；以及

沉积磁材料从而形成环绕尾屏蔽件。

12.根据权利要求11的方法，其中该第二离子研磨相对于法线以50至60度角进行。

13.根据权利要求11的方法，其中该第二离子研磨在Ar气氛中进行。

14.根据权利要求11的方法，其中该第二离子研磨相对于法线以45至65度角在Ar气氛中采用终点检测进行。

15.根据权利要求11的方法，其中该终点检测层包括选自Ta₂O₅、Ta和SiO₂构成的组的材料。

16.根据权利要求11的方法，其中该终点检测层包括具有一原子质量的元素，该原子质量不同于所述第一硬掩模层中的元素的原子质量。

17.根据权利要求11的方法，其中该第二离子研磨去除全部终点检测层而不需要后面的RIE。

18.一种制造磁写头的方法，包括：

提供衬底；

沉积磁写极材料在该衬底之上；

形成掩模结构在该写极材料之上，该掩模结构包括与该写极材料接触的终点检测层；

进行第一离子研磨以去除未被所述掩模结构覆盖的写极材料；

沉积氧化铝的层即ALD层；

进行第二离子研磨以去除部分所述ALD层且当到达所述终点检测层时终止所述离子研磨；

进行反应离子蚀刻RIE以去除所述终点检测层，暴露所述写极材料；

沉积非磁层，该非磁层沉积至一厚度从而定义尾间隙；以及

沉积磁材料从而形成环绕的尾屏蔽件。

19.根据权利要求18的方法，其中该第二离子研磨去除全部终点检测层而不需要后面的RIE。