[发明专利]用于减小温度引起的突出的磁写头无效

专利信息
申请号: 200710101867.6 申请日: 2007-04-25
公开(公告)号: CN101064115A 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: 萧文千;徐一民;李显邦;弗拉迪米尔·尼基汀;凯塔林·彭特克 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/40 分类号: G11B5/40;G11B5/39;G11B5/31;G11B5/187
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张波
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 用于 减小 温度 引起 突出 磁写头
【权利要求书】:

1.一种用于垂直磁数据记录的磁写头,该写头包括:

磁返回极,具有朝向气垫面ABS设置的第一端和与该第一端相反的第二端;

导电写线圈,其一部分越过该返回极,该写极通过非磁电绝缘材料与该返回极分隔开;

磁座,在该返回极的第一端与该返回极磁连接;以及

氧化铝填充材料,设置在该导电线圈与该座之间。

2.根据权利要求1的写头,其中该线圈具有越过该返回极的多个匝,该写头还包括设置在该线圈的匝之间的线圈绝缘层。

3.根据权利要求2的写头,其中该线圈绝缘层包括硬烘焙的光致抗蚀剂。

4.一种用于垂直磁记录的磁写头,包括:

磁写极,具有朝向气垫面ABS设置的末端;

返回极,具有朝向该ABS设置的末端和与该ABS相反的末端,该返回极在远离该ABS的区域与该写极磁连接;

磁座,与该返回极在该ABS附近的末端磁连接且朝向该写极延伸;

导电线圈,具有其一部分越过该返回极的多个匝;

氧化铝填充层,设置在该线圈与该座之间;以及

光致抗蚀剂线圈绝缘层,设置在该线圈的匝之间。

5.根据权利要求4的磁写头,其中该写线圈通过氧化铝薄层从该返回极分隔开。

6.根据权利要求4的磁写头,其中该氧化铝填充层延伸在该线圈之上。

7.根据权利要求4的磁写头,其中该线圈具有上表面且其中该光致抗蚀剂线圈绝缘层延伸到该线圈的顶表面之下的水平,且其中该氧化铝填充层延伸在该线圈和该线圈绝缘层之上。

8.一种用于垂直磁记录的磁写头,包括:

磁写极,具有朝向气垫面ABS设置的末端;

磁成形层,从该ABS凹进且与该写极磁连接;

磁返回极,具有朝向该ABS设置的末端和远离该ABS设置的末端;

磁背间隙层,在远离该ABS的区域中磁连接该磁成形层和该磁返回极;

磁座,与该返回极在朝向该ABS设置的末端磁连接,该磁座从该返回极朝向写极延伸;

导电线圈,具有多个匝,其一部分经过该背间隙层与该座之间和该返回极与该成形层之间;

氧化铝填充层,设置在该线圈与该座之间;以及

光致抗蚀剂线圈绝缘层,设置在该线圈的匝之间。

9.根据权利要求8的磁写头,其中该光致抗蚀剂线圈绝缘层延伸在该线圈与该背间隙层之间。

10.根据权利要求8的磁写头,其中该座从该写极磁分隔开。

11.根据权利要求8的磁写头,其中该氧化铝填充层延伸在该线圈与该成形层之间在该线圈之上。

12.根据权利要求8的磁写头,其中该氧化铝填充层延伸在该线圈与该成形层之间在该线圈之上且延伸到该背间隙层。

13.根据权利要求8的磁写头,其中该写线圈具有朝向该成形层设置的上表面,且其中该光致抗蚀剂线圈绝缘层延伸到该写线圈的上表面之下的高度。

14.根据权利要求8的磁写头,其中:

该写线圈具有朝向该成形层设置的上表面;

该光致抗蚀剂线圈绝缘层具有朝向该成形层设置的上表面,其从该线圈的上表面凹进;以及

该氧化铝填充层延伸在该写线圈和该光致抗蚀剂线圈绝缘层之上。

15.根据权利要求8的磁写头,其中:

该写线圈具有朝向该成形层设置的上表面;

该光致抗蚀剂线圈绝缘层具有朝向该成形层设置的上表面,其从该线圈的上表面凹进;以及

该氧化铝填充层延伸在该写线圈和该光致抗蚀剂线圈绝缘层之上,该氧化铝填充层接触该线圈和该光致抗蚀剂绝缘层的上表面且延伸到该背间隙。

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