[发明专利]布线衬底、显示装置及其制造方法无效
申请号: | 200710101893.9 | 申请日: | 2007-04-25 |
公开(公告)号: | CN101064273A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 田上和昭;日野辉重;柴田英次;屋比久英夫 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/84;H01L23/522;H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 布线 衬底 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种将至少由第一金属膜和第二金属膜构成的层叠结构作为布线的布线衬底的制造方法,包括:
在衬底上形成含有铝的第一金属膜的步骤;
在所述第一金属膜上形成含有钼的第二金属膜的步骤;
在所述第二金属膜上形成抗蚀剂图形的步骤;
为了对所述第一金属膜以及所述第二金属膜进行侧面刻蚀,通过所述抗蚀剂图形对所述第一金属膜以及所述第二金属膜进行刻蚀的第一刻蚀步骤;
在所述第一刻蚀步骤之后,为了使所述第二金属膜的侧端部的表面露出而使所述抗蚀剂图形后退的灰化步骤;以及
所述灰化步骤之后,为了使所述第二金属膜的剖面成为正锥形形状而通过所述后退后的抗蚀剂图形进行刻蚀的第二刻蚀步骤。
2.如权利要求1记载的布线衬底的制造方法,其特征在于:
在所述第一刻蚀步骤中,所述第一金属膜为正锥形形状、所述第二金属膜为倒锥形形状。
3.如权利要求1或2记载的布线衬底的制造方法,其特征在于:
在所述灰化步骤中,使所述抗蚀剂图形后退的量大于等于所述第一刻蚀步骤中的所述第一金属膜的侧面刻蚀量。
4.如权利要求1或2记载的布线衬底的制造方法,其特征在于:
在所述灰化步骤中,所述抗蚀剂图形后退,以便使所述抗蚀剂图形的底面侧的侧端与所述抗蚀剂图形侧面的前端部相比为内侧。
5.如权利要求1或2记载的布线衬底的制造方法,其特征在于:
所述第一金属膜是铝合金,所述第二金属膜是在钼中添加了铌的合金。
6.如权利要求1或2记载的布线衬底的制造方法,其特征在于:
在所述第一刻蚀步骤中,进行湿法刻蚀,
在所述灰化步骤中进行干法刻蚀,
在所述第二刻蚀步骤中,进行各向同性干法刻蚀。
7.一种显示装置的制造方法,其特征在于:
通过权利要求1或者2中记载的布线衬底的制造方法来制造阵列衬底。
8.一种将至少由第一金属膜和第二金属膜构成的层叠结构作为布线的布线衬底,其中
具有:设置在衬底上的包含铝的第一金属膜;设置在所述第一金属膜上的包含钼的第二金属膜,
所述第二金属膜是正锥形形状。
9.一种显示装置,其特征在于:
将权利要求8中记载的布线衬底用作阵列衬底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710101893.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示装置
- 下一篇:相变存储单元的热隔绝
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造