[发明专利]包括蚀刻装置和清洗装置的干蚀刻机

说明书

相互参照的相关申请

本申请要求2006年7月31日向韩国知识产权局递交的申请号为10-2006-72327的韩国专利申请的优先权，其公开的全部内容引用于此作为参考。

技术领域

本发明涉及包括蚀刻装置和清洗装置的干蚀刻机，更具体地说，涉及增加了清洗工序以用于金属层蚀刻工艺的、包括蚀刻装置和清洗装置的干蚀刻机。

背景技术

一般来说，蚀刻工艺是指一种用于去除光刻胶下形成的层以使其与晶片上形成的光刻胶相适应的工艺。蚀刻晶片的方法包括两种方法，即，湿蚀刻和干蚀刻。在湿蚀刻中，晶片浸泡在蚀刻液中，然后利用化学反应进行蚀刻。湿蚀刻的一个优点在于具有极好的选择性和生产率。然而，因为湿蚀刻是化学蚀刻，晶片上由于等向蚀刻而可能出现底切(undercut)。因此，利用湿蚀刻很难形成完好的图案。

相反地，在干蚀刻中，气体垂直踫撞晶片且由于气体的垂直注入而进行异向蚀刻。因此，利用干蚀刻就有可能形成完好的图案。另外，由于干蚀刻中不使用化学溶液，所以能以洁净且安全的方式来完成蚀刻。由于此原因，近年来干蚀刻已被广泛地应用。但是，因为气体物理踫撞晶片，所以不可能选择性蚀刻特定的材料。也就是说，干蚀刻具有选择性差的缺陷。此外，当使用含氯气或氟气的气体作为干蚀刻气体时，蚀刻工艺后晶片上就形成氯气层或氟气层。各气体层与水蒸汽(H₂O)相结合，然后生成强酸盐酸(HCl)或氢氟酸(HF)。结果，晶片上的金属被蚀刻。因此，现有技术中使用含氯气或氟气的蚀刻气体的干蚀刻机不能用于蚀刻金属层。从而，现有技术中的干蚀刻机一般只用于蚀刻非金属层。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种增加了清洗工序以用于蚀刻金属层和非金属层工艺中的干蚀刻机。

本发明的目的不限于上文所述，通过以下的说明，本发明的其它目的对所属技术领域的技术人员来说将是显而易见的。

根据本发明的一方面，提供一种干蚀刻机，其包括蚀刻装置，其中注入蚀刻气体以蚀刻形成于基板上的层，传送经蚀刻装置处理的基板的基板传送装置，以及清洗经基板传送装置传送的基板的清洗装置。

附图说明

通过参照附图对优选实施例进行详细说明，本发明的上述及其它特征和优点将更加显而易见，其中

图1为根据本发明一实施例包括蚀刻装置和清洗装置的干蚀刻机的蚀刻装置的示意图。

图2为根据本发明实施例的包括蚀刻装置和清洗装置的干蚀刻机的清洗装置的透视图；

图3是根据本发明实施例的包括蚀刻装置和清洗装置的干蚀刻机的俯视图；以及

图4为根据本发明实施例的包括蚀刻装置和清洗装置的干蚀刻机的基板传送装置运作的俯视图。

具体实施方式

参照下文对优选实施例及附图的详细说明，可以更容易地理解本发明及其实现方法的优点和特征。然而，本发明可以有多种不同的方式来实施，不应解释为仅限于此处所列的实施例。相反地，提供这些实施例是为使本公开彻底而完全，并向所属技术领域的技术人员充分地传达本发明的思想，本发明将仅为所附的权利要求所限定。整个说明书中相同的元件标记表示相同的元件。

以下，将参照附图对本发明一优选实施例进行更详细的说明。

图1为根据本发明一实施例的包括蚀刻装置和清洗装置的干蚀刻机的蚀刻装置的示意图。图2为根据本发明一实施例的包括蚀刻装置和清洗装置的干蚀刻机的清洗装置的透视图。根据本发明一实施例的增加了清洗工序的干蚀刻机可以包括蚀刻装置100，清洗装置200，以及基板传送装置300。