[发明专利]以本征半导体为电极的像素和采用其的电致发光显示器

权利要求书

1.一种显示装置的像素，所述像素连接到用于向所述像素供应数据电压的数据线、用于向所述像素供应扫描电压的扫描线、用于向所述像素供应第一电源电压的第一电源、用于向所述像素供应第二电源电压的第二电源以及用于向所述像素供应初始电压的初始电压源，所述像素包括：

第一晶体管，用于向发光装置供应电流；

第二晶体管，用于对所述第一晶体管进行二极管连接；

第三晶体管，具有连接到所述数据线的第一电极和连接到所述第一晶体管的第一电极的第二电极；

第一电容元件，电连接到所述第一电源和所述初始电压源并包括为本征半导体的第一电极；

第四晶体管，具有电连接到所述第一电容元件的第一电极和电连接到所述初始电压源的第二电极；

第五晶体管，具有连接到所述第一电源的第一电极和电连接到所述第二晶体管的第一电极的第二电极；

第六晶体管，具有电连接到所述第一晶体管的第一电极的第一电极和电连接到所述发光装置的第一电极的第二电极；以及

第二电容元件，电连接到所述第三晶体管的栅电极和所述第一晶体管的栅电极。

2.根据权利要求1所述的像素，其中所述发光装置为发光二极管。

3.根据权利要求1所述的像素，其中所述发光装置为有机发光二极管。

4.根据权利要求1所述的像素，其中所述本征半导体为本征多晶半导体。

5.根据权利要求1所述的像素，其中所述第一晶体管为驱动晶体管。

6.根据权利要求1所述的像素，其中所述第一晶体管为P沟道型晶体管，且包括P型半导体。

7.根据权利要求6所述的像素，其中P型半导体的杂质包括锑Sb、磷P和砷As的至少一种。

8.根据权利要求6所述的像素，其中所述第六晶体管的栅电极连接到所述显示器的发射控制线。

9.根据权利要求8所述的像素，其中所述第五晶体管的栅电极连接到所述发射控制线，并响应于所述发射控制线的信号将所述第一电源电压施加到所述第一晶体管的第二电极。

10.根据权利要求1所述的像素，其中所述第三晶体管为开关晶体管且响应于所述扫描电压将所述数据电压传输到所述第一晶体管的所述第一电极。

11.根据权利要求1所述的像素，其中所述第二晶体管响应于所述扫描电压被开启，且在所述第二晶体管开启时，所述第一晶体管被二极管连接。

12.根据权利要求1所述的像素，其中所述扫描电压被施加到所述第四晶体管的栅电极，且所述第四晶体管响应于所述扫描电压将所述初始电压施加到所述第一电容元件。

13.根据权利要求1所述的像素，其中所述第一电容元件的所述第一电极为通过准分子激光退火ELA技术结晶的多晶半导体。

14.根据权利要求1所述的像素，其中所述第一电容元件的所述第一电极为通过固相结晶SPC技术结晶的多晶半导体。

15.根据权利要求1所述的像素，其中所述第一电容元件的所述第一电极为通过金属诱导结晶MIC技术结晶的多晶半导体。

16.根据权利要求1所述的像素，其中所述第一电容元件的所述第一电极为通过金属诱导横向结晶MILC技术结晶的多晶半导体。

17.根据权利要求1所述的像素，其中所述第一电容元件的所述第一电极为通过经帽层的金属诱导结晶MICC技术结晶的多晶半导体。