[发明专利]使用单一接触结构的桥路电阻随机存取存储元件及方法

权利要求书

1、一种在桥路结构中的存储元件，该桥路结构包括接触结构，该存储元件包括：

第一电极，位于该接触结构内，具有周边延伸的形状，且环绕该接触结构的内壁；

第二电极，位于该接触结构内且位于所述第一电极的周边延伸的形状内；

绝缘材料，其隔离该第一与第二电极；以及

存储材料，沉积在该桥路结构中，该桥路结构与该第一电极的上表面与该第二电极的上表面接触。

2、如权利要求1所述的元件，该存储材料还包括电阻存储材料，其水平延伸并与该第一电极、该绝缘材料、以及该第二电极接触。

3、如权利要求2所述的元件，还包括设置在该电阻存储材料上的隔离物，其保护该电阻存储材料在蚀刻过程中不受到破坏。

4、如权利要求3所述的元件，还包括位线，其包括沉积在该隔离物内的导电材料，该位线与该第二电极接触。

5、如权利要求1所述的元件，还包括形成在该第二电极的上表面上的通孔；以及位线，其包括沉积在该通孔内的导电材料。

6、如权利要求2所述的元件，还包括形成在该电阻存储材料上的硬掩模。

7、如权利要求1所述的元件，还包括导电材料，其沉积在位于该第二电极下方的栓塞内并填满该栓塞内的孔洞的一部份。

8、如权利要求2所述的元件，其中该电阻存储材料包括方形结构。

9、如权利要求1所述的元件，其中该第二电极包括钨、氮化钛、或氮化钽。

10、如权利要求1所述的元件，其中该第一电极电连接至晶体管端子。

11、如权利要求1所述的元件，其中该第二电极电连接至位线。

12、如权利要求2所述的元件，其中该电阻存储材料包括硫族化物。

13、如权利要求2所述的元件，其中该电阻存储材料具有至少两个固态相，该至少两个固态相之间可通过电流而可逆地诱发。

14、如权利要求2所述的元件，其中该电阻存储材料具有至少两个固态相，该至少两个固态相包括大部分为非晶相与大部分为结晶相。

15、如权利要求2所述的元件，其中该电阻存储材料包括锗、锑、碲。

16、如权利要求2所述的元件，其中该电阻存储材料包括选自包括锗(Ge)、锑(Sb)、碲(Te)、硒(Se)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铋(Bi)、锡(Sn)、铜(Cu)、钯(Pd)、铅(Pb)、银(Ag)、硫(S)及金(Au)的组中的至少两种所形成的组合物。

17、如权利要求2所述的元件，其中该电阻存储材料包括超巨磁阻(CMR)材料。

18、如权利要求2所述的元件，其中该电阻存储材料包括双元素化合物。

19、如权利要求1所述的元件，还包括接触结构，且该第一与第二电极设置在该接触结构内。

20、一种用以制造存储元件的方法，包括：

提供晶体管本体，其具有接触结构与层间介质，该接触结构具有内壁；

形成第一电极，该第一电极具有沿着该接触结构的内壁延伸的区域；

蚀刻该接触结构的顶部以将第一介质层沉积在该区域内；

将第二电极沉积在该第一介质层中；以及

将存储材料沉积在一桥路结构中，该桥路结构与该第一电极和该第二电极的上表面接触。

21、如权利要求20所述的方法，其中该存储材料包括电阻存储材料。

22、如权利要求21所述的方法，还包括将第二介质沉积在该第一电极、该第一介质层、该第二电极、与该电阻存储材料的上表面上。

23、如权利要求22所述的方法，还包括通过选择性蚀刻该第二介质，以形成通孔。

24、如权利要求23所述的方法，还包括将间隔物形成在该通孔中，以保护该电阻存储材料不被该第二介质的蚀刻过程破坏；以及将包括有导电材料的位线沉积在该间隔物中并形成该位线。