[发明专利]图像显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种图像显示装置，具有在绝缘性基板上形成的多条栅极线、与上述多条栅极线矩阵状地交叉而形成的多条信号线、以及多个薄膜晶体管，其特征在于：

上述多条栅极线为层叠结构，上述多个薄膜晶体管由n沟道传导型和p沟道传导型这2种类型构成，n沟道传导型薄膜晶体管的栅极电极是与上述栅极线结构相同的层叠电极，p沟道传导型薄膜晶体管的栅极电极是与上述栅极线的下层电极同层的电极。

2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：

上述栅极线和上述信号线为层叠结构，上述栅极线的上层膜和上述信号线的下层膜为相同的材质。

3.一种图像显示装置，具有在绝缘性基板上形成的多条栅极线、与上述多条栅极线矩阵状地交叉而形成的多条信号线、以及多个薄膜晶体管，其特征在于：

上述多条栅极线为层叠结构，在由上述多条栅极线和上述多条信号线所包围的区域具有像素电极，上述多个薄膜晶体管由n沟道传导型和p沟道传导型这2种类型构成，p沟道传导型薄膜晶体管的栅极电极与上述像素电极为相同的材质，n沟道传导型薄膜晶体管的栅极电极为与上述栅极线的上层材质相同的层和与上述像素电极材质相同的层的层叠结构。

4.根据权利要求3所述的图像显示装置，其特征在于：

上述n沟道传导型薄膜晶体管的栅极电极是与上述栅极线结构相同的层叠电极，上述层叠电极的下层膜和上述p沟道传导型薄膜晶体管的栅极电极是与上述像素电极同层的电极。

5.根据权利要求3所述的图像显示装置，其特征在于：

上述像素电极和上述p沟道传导型薄膜晶体管的栅极电极是透明电极。

6.根据权利要求3所述的图像显示装置，其特征在于：

上述像素电极和上述p沟道传导型薄膜晶体管的栅极电极的膜厚为20nm以上60nm以下。

7.根据权利要求3所述的图像显示装置，其特征在于：

在上述栅极线和上述信号线之间具有层间绝缘膜，在上述像素电极的上方，隔着层间绝缘膜，具有与上述像素电极材质相同的电极。

8.根据权利要求7所述的图像显示装置，其特征在于：

上述栅极线与上述信号线的交叉部，具有从基板侧观察按照栅极线的下层膜/层间绝缘膜/信号线的顺序层叠的结构。

9.根据权利要求3所述的图像显示装置，其特征在于：

包括与上述信号线的上表面相接触的保护绝缘膜，还包括与上述保护绝缘膜的上表面和侧面以及上述像素电极的上表面相接触地形成的发光层。

10.根据权利要求7所述的图像显示装置，其特征在于：

上述层间绝缘膜具有接触孔，

还包括与上述像素电极的上表面以及上述层间绝缘膜的上表面和侧面相接地形成的发光层。

11.根据权利要求3所述的图像显示装置，其特征在于：

上述信号线为层叠结构，在上述信号线的表面形成有作为该信号线的上层膜的氧化膜。

12.根据权利要求3所述的图像显示装置，其特征在于：

上述n沟道传导型薄膜晶体管的栅极电极和上述栅极线是在下层具有与上述像素电极材质相同的层的层叠电极，

上述层叠电极的上层电极，相对于与上述像素电极材质相同的下层电极被缩小地加工。

13.一种图像显示装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在绝缘性基板上形成岛状多晶硅膜的步骤；

形成栅极绝缘膜的步骤；

在上述栅极绝缘膜上形成像素电极，在其上层叠金属电极的步骤；

将由上述像素电极和上述金属电极构成的层叠金属膜图形化而形成栅极电极的步骤；

与除去存在于p沟道传导型的栅极电极之上的上述金属电极的同时，除去上述像素电极上部的上述金属电极的步骤。