[发明专利]背侧光感测装置以及形成背侧光感测装置的方法

权利要求书

1.一种背侧光感测装置，其特征在于，包括：

半导体基底，具有上表面、下表面以及中间部分，上述下表面呈阶梯状；

多个象素，形成于上述半导体基底的上述上表面，其中上述中间部分具有多个不同的吸收深度，上述吸收深度形成于上述半导体基底的上述下表面与上表面之间，上述多个吸收深度由蚀刻该半导体基底而形成一体结构，使得上述吸收深度等于上述半导体基底的厚度，并且每个上述吸收深度根据每个上述象素排列；以及

多个彩色滤光片，形成于上述半导体基底的上述下表面，其中上述吸收深度位于上述象素与上述彩色滤光片之间。

2.如权利要求1所述的背侧光感测装置，其特征在于，上述半导体基底为一绝缘层上硅基底。

3.如权利要求1所述的背侧光感测装置，其特征在于，还包括在上述上表面形成第一象素、第二象素以及第三象素，以及位于上述中间部分的第一吸收深度、第二吸收深度与第三吸收深度，其中上述第一吸收深度、上述第二吸收深度与上述第三吸收深度分别位于上述第一象素、上述第二象素与上述第三象素下方。

4.如权利要求3所述的背侧光感测装置，其特征在于，上述第一吸收深度具有介于0.35μm到8.0μm之间的厚度，上述第二吸收深度具有介于0.15μm到3.5μm之间的厚度，并且上述第三吸收深度具有介于0.10μm到2.5μm之间的厚度。

5.如权利要求3所述的背侧光感测装置，其特征在于，上述彩色滤光片之一为红色滤光片、上述彩色滤光片的另一为绿色滤光片以及上述彩色滤光片的另一为蓝色滤光片，并且上述红色滤光片、上述绿色滤光片以及上述蓝色滤光片分别根据上述第一象素、上述第二象素以及上述第三象素排列。

6.如权利要求5所述的背侧光感测装置，其特征在于，还包括平坦层，上述平坦层介于上述半导体基底的上述中间部分以及上述彩色滤光片之间。

7.如权利要求6所述的背侧光感测装置，其特征在于，上述平坦层为有机物。

8.如权利要求7所述的背侧光感测装置，其特征在于，上述平坦层为聚合物。

9.如权利要求1所述的背侧光感测装置，其特征在于，还包括：

多个金属层，形成于上述半导体基底；以及

介电层，形成于上述半导体基底的上述上表面。

10.一种背侧光感测装置，其特征在于，包括：

半导体基底，具有上表面与下表面，上述下表面呈阶梯状；

多个象素，形成于上述半导体基底的上述上表面；以及

多个彩色滤光片，形成于上述半导体基底的上述下表面，其中上述半导体基底具有多个吸收深度，上述吸收深度形成于上述半导体基底的上述下表面与上表面之间，上述多个吸收深度由蚀刻该半导体基底而形成一体结构，使得上述吸收深度等于上述半导体基底的厚度，上述吸收深度位于上述象素与上述彩色滤光片之间，并且至少两个上述吸收深度彼此之间具有不同的厚度。

11.如权利要求10所述的背侧光感测装置，其特征在于，还包括平坦层，上述平坦层位于上述象素与上述彩色滤光片之间，上述平坦层具有反比于上述吸收深度的多个厚度。

12.如权利要求10所述的背侧光感测装置，其特征在于，还包括显微透镜，上述显微透镜位于彩色滤光片之上。

13.如权利要求10所述的背侧光感测装置，其特征在于，还包括：

多个金属层，位于上述半导体基底的上述上表面；以及

介电层，位于上述半导体基底的上述上表面。