[发明专利]振荡电路

说明书

技术领域

本发明涉及振荡电路，尤其涉及通过进行电容器的充放电来得到振荡输出的振荡电路。

背景技术

一般，在微型计算机等的半导体集成电路中，为了生成动作时钟而内置有振荡电路。以下，对现有例的振荡电路进行说明。图5为振荡电路的电路图。

该振荡电路包括：电容器C、检测电容器C的节点N的电压的施密特反相器(inverter)STV、介由反相器INV将施密特反相器STV的输出输入到栅极的P沟道型MOS晶体管M1以及N沟道型MOS晶体管M2、与P沟道型MOS晶体管M1串联连接并流过基准电流I1的P沟道型MOS晶体管M3、与N沟道型MOS晶体管M2串联连接并流过基准电流I1的N沟道型MOS晶体管M4。振荡电路的输出时钟由反相器INV得到。

图6为表示产生上述基准电流I1的基准电流电路的电路图。在供给电源电压Vdd的电源端子和供给接地电压GND的接地端子之间串联连接电阻R1(电阻值R1)和N沟道型MOS晶体管M5。N沟道型MOS晶体管M5的栅极和漏极公共连接，源极接地。设栅极源极间电压为Vgs1时，在N沟道型MOS晶体管M5中流过基准电流I1。基准电流I1由公式1提供。

(公式1)

Vdd-Vgs1R1]]>

该基准电流I1流过电流镜(current mirror)的N沟道型MOS晶体管M6。在此，在与N沟道型MOS晶体管M6串联连接的P沟道型MOS晶体管M7中也流过基准电流I1。

在此，P沟道型MOS晶体管M7的栅极电压Va被施加在图5的P沟道型MOS晶体管M3的栅极，N沟道型MOS晶体管M6的栅极电压Vb被施加在图5的N沟道型MOS晶体管M4的栅极。

参照图7的波形图对该振荡电路的动作进行说明。施密特反相器STV具有两个阈值Vt1、Vt2(Vt1＞Vt2)。通过基准电流I1所进行的充电，节点N(电容器C的端子)的电压上升，在达到施密特反相器STV的阈值Vt1时，施密特反相器STV的输出反转为低电平(low)，反相器INV的输出变为高电平，接收该高电平而M2导通，M1截止。于是，通过基准电流I1的放电，电容器C的节点N的电压下降，在达到施密特反相器STV的阈值Vt2时，施密特反相器STV的输出反转为高电平，反相器INV的输出变为低电平，接受该低电平而M2截止，M1导通。于是，再次开始基准电流I1的充电。通过如上述那样反复进行充电和放电，可从反相器INV得到输出时钟。

然而，通过电池的劣化等，在施加在半导体集成电路的电源电压Vdd变动的情况下，也优选内置在半导体集成电路的振荡电路的振荡频率不变动。然而，在现有例的振荡电路中存在振荡频率的电源电压依赖性大的问题。

专利文献1：特开2003-69341号公报

发明内容

本发明的振荡电路正是鉴于上述课题而提出的，其特征在于，上述振荡电路具备：基准电流电路，其产生基准电流；充放电电路，其具备电容器、切换电路和检测电路，上述切换电路对将上述电容器的端子电压初始化为电源电压的初始化动作和使基准电流流过电容器的放电动作进行切换，上述检测电路对上述电容器的端子的电压进行检测并输出时钟；和控制电路，其对上述切换电路进行控制，以使按照上述时钟上述充放电电路开始初始化动作，在初始化动作结束后开始放电动作；上述控制电路具备延迟电路和触发器；向上述触发器的第一输入端子输入上述时钟，触发器的输出通过上述延迟电路后被输入到第二输入端子，将上述触发器的输出施加到上述切换电路。

根据本发明，充放电电路交替地重复初始化动作和放电动作，放电动作通过初始化始终从电源电压开始进行。由此，抑制了振荡频率的电源电压依赖性。

此外，构成为被初始化的电压不是电源电压，而是接地电压，从接地电压开始充电也能得到相同的效果。

(发明效果)

根据本发明的振荡电路，能够抑制振荡频率的电源电压依赖性。

附图说明

图1为本发明的第一实施方式相关的振荡电路的电路图。

图2为本发明的第一实施方式相关的振荡电路的充放电电路的电路图。

图3为本发明的第一实施方式相关的振荡电路的动作波形图。

图4为本发明第二实施方式相关的振荡电路的电路图。

图5为现有例相关的振荡电路的电路图。