[发明专利]涂层结构及其形成方法无效
申请号: | 200710103218.X | 申请日: | 2007-05-10 |
公开(公告)号: | CN101070002A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 浅野康志;柳川敬太;菅原博好;鸟居慎治 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | B32B33/00 | 分类号: | B32B33/00;B32B9/00;C23C30/00;F02M61/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡洪贵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 涂层 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种用于金属部件(10)的涂层结构(1,E),包括:
形成在金属部件(10)上用于使金属部件(10)的表面平滑 化的表面平滑化层(11,13,14);以及
形成在表面平滑化层(11,13,14)上的氟基膜(12),并且 氟基膜(12)包括氟硅烷,其特征在于:
表面平滑化层(11,13,14)包括NiP/PTFE复合膜,在该 NiP/PTFE复合膜中,PTFE颗粒被分布在NiP中。
2.根据权利要求1所述的涂层结构(1,E),其特征在于:
NiP/PTFE复合膜通过无电镀形成。
3.根据权利要求1或2所述的涂层结构(1,E),其特征在 于:
PTFE颗粒在NiP/PTFE复合膜中的含有率为7至9wt%。
4.根据权利要求1或2所述的涂层结构(1,E),其特征在 于:
PTFE颗粒的颗粒尺寸为0.2至1μm。
5.根据权利要求1或2所述的涂层结构(1,E),其特征在 于:
NiP/PTFE复合膜的厚度为5至20μm。
6.根据权利要求1或2所述的涂层结构(1,E),其特征在 于:
表面平滑化层(11,13,14)还包括形成在金属部件(10) 上作为粘附层的Ni薄膜(13);以及
NiP/PTFE复合膜形成在Ni薄膜(13)上。
7.根据权利要求6所述的涂层结构(1,E),其特征在于:
Ni薄膜(13)的厚度为0.5至1.5μm。
8.根据权利要求6所述的涂层结构(1,E),其特征在于:
表面平滑化层(11,13,14)还包括形成在Ni薄膜(13)上 作为接地层的NiP膜(14);以及
NiP/PTFE复合膜形成在NiP膜(14)上。
9.根据权利要求1或2所述的涂层结构(1,E),其特征在 于:
表面平滑化层(11,13,14)还包括形成在金属部件(10) 上作为接地层的NiP膜(14);以及
NiP/PTFE复合膜形成在NiP膜(14)上。
10.根据权利要求9所述的涂层结构(1,E),其特征在于:
NiP膜(14)的厚度为0.5至1.5μm。
11.根据权利要求1或2所述的涂层结构(1,E),其特征在 于:
其上形成NiP/PTFE复合膜的表面的表面粗糙度(Rz)不大于 5μm。
12.根据权利要求1或2所述的涂层结构(1,E),其特征在 于:
NiP/PTFE复合膜的表面粗糙度(Rz(11))不大于0.1μm。
13.一种用于金属部件(10)的涂层结构(1,E),包括:
形成在金属部件(10)上用于使金属部件(10)的表面平滑 化的表面平滑化层(11,13,14);以及
形成在表面平滑化层(11,13,14)上的氟基膜(12),并且 氟基膜(12)包括氟硅烷,其特征在于:
表面平滑化层(11,13,14)包括类金刚石膜。
14.根据权利要求13所述的涂层结构(1,E),其特征在于:
类金刚石膜通过选自等离子CVD、溅射、以及离子镀中的方 法形成。
15.根据权利要求13或14所述的涂层结构(1,E),其特征 在于:
类金刚石膜的厚度为0.5至5μm。
16.根据权利要求13或14所述的涂层结构(1,E),其特征 在于:
其上形成类金刚石膜的表面的表面粗糙度(Rz)不大于10μm。
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