[发明专利]肖特基元件及制造该肖特基元件的半导体制程

说明书

技术领域

本发明关于一种肖特基(Schottky)元件及制造该肖特基元件的半导体制程；更详细地说，是关于制造一具有高击穿电压的肖特基元件的半导体制程。

背景技术

肖特基元件被广泛地应用于许多半导体电路上。请参照图1及图2，图1为一现有的肖特基元件1的俯视图，图2则是绘示沿图1的A-A断面线实质上所取得的肖特基元件1的部分侧视断面图。肖特基元件1包含一P型基板101、一N型深阱区103、以N型离子掺杂的一重掺杂区105、一肖特基接面(contact)107、一欧姆(Ohmic)接面109、以P型离子掺杂的一掺杂区111、一肖特基电极113以及一欧姆电极115。肖特基接面107使肖特基电极113与该N型深阱区103接触。欧姆接面109使欧姆电极115与重掺杂区105接触。相邻于N型深阱区103的掺杂区111将会确保肖特基元件1的一击穿电压在一固定值。

然而，为了提高肖特基元件1中的击穿电压，N型深阱区103中的离子浓度将会减少。因此，生产肖特基元件1将会需要许多额外的光掩膜及制程，导致成本相对地提高。此外，肖特基元件1的传导阻抗亦会相对地增加。

综上所述，改善肖特基元件的击穿电压而避免额外的光掩膜及制程来增加成本即为此产业需要努力及改善的目标。

发明内容

本发明的一目的在于提供一具有一击穿电压的肖特基元件。该肖特基元件包含一基板、一深阱区、一肖特基接面以及一欧姆接面。该基板以第一型离子掺杂。所述深阱区以第二型离子掺杂且形成于基板中。所述肖特基接面使一第一电极与所述深阱区接触。所述欧姆接面在所述深阱区中使一第二电极与一含有第二型离子的重掺杂区接触。所述深阱区具有一形成于所述肖特基接面下且含有一横向尺寸的几何状缺口，所述第一型离子及所述第二型离子为互补，且所述横向尺寸用以调整该击穿电压。

本发明的另一目的在于提供一种用于形成一肖特基元件的半导体制程。该半导体制程包含步骤：在一含有第一型离子的基板中形成一含有第二型离子的深阱区；形成一含有所述第一型离子的第一掺杂区；形成一氧化层；在所述深阱区形成一含有所述第一型离子的第二掺杂区；在所述深阱区形成一含有所述第二型离子的重掺杂区；以及在深阱区上的一肖特基接面上形成一第一电极，并在所述重掺杂区上的一欧姆接面形成一第二电极。所述第一型离子及所述第二型离子为互补，所述第二掺杂区围绕在所述第一电极周围，且所述深阱区具有一形成于所述肖特基接面下且含有一横向尺寸的几何状缺口，以及所述第一掺杂区和所述深阱区为分离。

本发明提供一形成于一肖特基元件的肖特基接面下且具有一横向尺寸的几何状缺口。而横向尺寸可用来调整该击穿电压。另外，亦不需要额外的光掩膜及制程。如此一来，将可以降低成本，而且肖特基元件的传导阻抗也将会被降低。

在参阅附图及随后描述的实施方式后，该技术领域具有通常知识者便可了解本发明的其他目的，以及本发明的技术手段及实施态样。

附图说明

图1为现有肖特基元件的俯视图；

图2为现有肖特基元件的断面图；

图3为本发明第一实施例的俯视图；

图4为本发明第二实施例的俯视图；

图5为本发明第二实施例的断面图；以及

图6为本发明第三实施例的流程图。

具体实施方式

本发明的第一实施例如图3所示，为一肖特基元件3的侧视断面图。由于肖特基元件3的俯视图类似于图1所绘示的肖特基元件1的俯视图，图3即是肖特基元件3的部分侧视断面图。第一实施例的肖特基元件3包含一P型基板301、一N型深阱区303、一重掺杂区305、一肖特基接面307、一欧姆接面309、一掺杂区311、一肖特基电极313以及一欧姆电极315。

而根据第一实施例，P型基板301以P型离子掺杂，N型深阱区303以N型离子掺杂并形成于P型基板301上。重掺杂区305以N型离子重掺杂并形成于N型深阱区303中。肖特基接面307使肖特基电极313与N型深阱区303接触。欧姆接面309使欧姆电极315与重掺杂区305接触。且N型深阱区303还具有一形成于一缺口区317且具有一横向尺寸G的几何状缺口。该几何状缺口区317形成于肖特基接面307之下，且横向尺寸G可用以调整肖特基元件3的击穿电压。