[发明专利]用以对一闪速存储元件实施逐位擦除的装置与方法

权利要求书

1.一种对一闪速存储元件用以逐个存储单元擦除多个存储单元中的目标存储单元的方法，该多个存储单元包含于存储阵列中，每一存储单元包括源极、漏极、栅极、电荷陷获结构、以及位于该源极与漏极之间的沟道区域，多条位线耦接至该多个存储单元的该源极与漏极区域，且多条字线耦接至该多个存储单元的栅极，包括：

施加第一电压至与该目标存储单元相关的该字线；

施加第二电压至其他该多条字线；

施加第三电压至与该目标存储单元相关的该位线；以及

施加第四电压至其他该多条位线，其中该第一电压和该第三电压使该目标存储单元被擦除，而该第二电压和该第四电压用以抑制其他存储单元被擦除，其中该多个存储单元包括绝缘层上覆硅晶体管。

2.如权利要求1所述的方法，其中该第一电压介于约-7至-13伏特之间。

3.如权利要求1所述的方法，其中该第二电压介于约7至13伏特之间。

4.如权利要求1所述的方法，其中该第三电压介于约6至12伏特之间。

5.如权利要求1所述的方法，还包括在该目标存储单元被擦除的同时，编程该多个存储单元之一。

6.如权利要求1所述的方法，其中该阵列为三阶阵列。

7.如权利要求1所述的方法，其中该多个存储单元利用薄膜晶体管工艺技术所制造。

8.如权利要求1所述的方法，其中电荷由该沟道区域经带隙加工隧穿结构移至该电荷陷获结构以擦除该目标存储单元。

9.如权利要求1所述的方法，其中电荷由该沟道区域经包含第一氧化物层，第一氮化物层及第二氧化物层的带隙加工隧穿结构移至该电荷陷获结构以擦除该目标存储单元。

10.如权利要求1所述的方法，其中电荷由该沟道区域经包含厚度约小于20埃的第一氧化物层，第一氮化物层及第二氧化物层的带隙加工隧穿结构移至该电荷陷获结构以擦除该目标存储单元。

11.如权利要求1所述的方法，其中电荷由该沟道区域经包含厚度约介于5至20埃之间的第一氧化物层，第一氮化物层及第二氧化物层的带隙加工隧穿结构移至该电荷陷获结构以擦除该目标存储单元。

12.如权利要求1所述的方法，其中电荷由该沟道区域经包含厚度约小于15埃的第一氧化物层，第一氮化物层及第二氧化物层的带隙加工隧穿结构移至该电荷陷获结构以擦除该目标存储单元。

13.如权利要求1所述的方法，其中电荷由该沟道区域经包含第一氧化物层，厚度约小于20埃的第一氮化物层及第二氧化物层的带隙加工隧穿结构移至该电荷陷获结构以擦除该目标存储单元。

14.如权利要求1所述的方法，其中电荷由该沟道区域经包含第一氧化物层，厚度约介于10至20埃之间的第一氮化物层及第二氧化物层的带隙加工隧穿结构移至该电荷陷获结构以擦除该目标存储单元。

15.如权利要求1所述的方法，其中电荷由该沟道区域经包含第一氧化物层，第一氮化物层及一厚度约小于20埃的第二氧化物层的带隙加工隧穿结构移至该电荷陷获结构以擦除该目标存储单元。

16.如权利要求1所述的方法，其中电荷由该沟道区域经包含第一氧化物层，第一氮化物层及一厚度约介于15至20埃之间的第二氧化物层的带隙加工隧穿结构移至该电荷陷获结构以擦除该目标存储单元。

17.如权利要求1所述的方法，其中电荷由该沟道区域进入该电荷陷获结构以擦除该目标存储单元，该电荷陷获结构从包含SONOS、BE-SONOS、SONS、顶BE-SONOS、MONOS、底SONOSOS、底SOSONOS和SONONS的组中选出。