[发明专利]彩色传感器、彩色传感器的制造方法、传感器以及电子仪器

权利要求书

1.一种彩色传感器，其通过使入射光穿透并列设置的多个滤色膜，对应该滤色膜的颜色由受光元件转换成受光信号，其特征在于，

使入射光的部分波长穿透的干涉滤光膜设置在各所述受光元件的正上方，而且，在该干涉滤光膜的正上方设置各所述滤色膜，

所述受光元件是由第一导电型的半导体衬底、层积在所述第一导电型半导体衬底上的第一导电型层、和层积在所述第一导电型层上的第二导电型层构成的光电二极管，

所述第二导电型层的周边部的框状外围部形成为比中央区域深。

2.如权利要求1所述的彩色传感器，其特征在于，所述光电二极管，其红外光的峰值灵敏度波长为800nm以下。

3.如权利要求2所述的彩色传感器，其特征在于，

所述第一导电型的半导体衬底采用硅外延生长晶片形成，同时，

在所述第一导电型的半导体衬底上，层积含有所述第二导电型层的、厚度为1～10μm的外延层。

4.如权利要求2或3所述的彩色传感器，其特征在于，所述光电二极管并列设置三个，分别为第一光电二极管、第二光电二极管以及第三光电二极管，同时，

在所述第一光电二极管上形成在可见光区域使红色光穿透的滤色膜，在所述第二光电二极管上形成在可见光区域使绿色光穿透的滤色膜，并且在所述第三光电二极管上形成在可见光区域使蓝色光穿透的滤色膜。

5.如权利要求1～3中任一项所述的彩色传感器，其特征在于，所述第二导电型层的所述框状外围部的深度为距所述第二导电型层的表面0.8μm以上，所述中央区域的深度为距所述第二导电型层的表面不足0.8μm。

6.如权利要求4所述的彩色传感器，其特征在于，所述第二导电型层的所述框状外围部的深度为距所述第二导电型层的表面0.8μm以上，所述中央区域的深度为距所述第二导电型层的表面不足0.8μm。

7.如权利要求3所述的彩色传感器，其特征在于，所述外延层的电阻率是20～200Ωcm。

8.一种彩色传感器的制造方法，

该彩色传感器通过使入射的光穿透并列设置的多个滤色膜，并对应该滤色膜的颜色由受光元件转换成受光信号，其中，使入射光的部分波长穿透的干涉滤光膜设置在各所述受光元件的正上方，而且在该干涉滤光膜的正上方设置各所述滤色膜，所述受光元件是由第一导电型的半导体衬底、层积在所述第一导电型半导体衬底上的第一导电型层、和层积在所述第一导电型层上的第二导电型层构成的光电二极管，所述第二导电型层的周边部的框状外围部形成为比中央区域深，该制造方法的特征在于，

在所述受光元件上形成金属电极和遮光金属，

在形成所述干涉滤光膜之前，在所述受光元件上形成的所述金属电极和遮光金属这些金属部分上预先形成氧化硅膜。

9.如权利要求8所述的彩色传感器的制造方法，其特征在于，在滤色膜形成后除掉形成于所述金属部分上的氧化硅膜。

10.一种传感器，其特征在于，具备彩色传感器，该彩色传感器通过使入射光穿透并列设置的多个滤色膜，并对应该滤色膜的颜色由受光元件转换为受光信号，其中，使入射光的部分波长穿透的干涉滤光膜设置在所述各受光元件的正上方，而且在该干涉滤光膜的正上方设置所述各滤色膜，所述受光元件是由第一导电型的半导体衬底、层积在所述第一导电型半导体衬底上的第一导电型层、和层积在所述第一导电型层上的第二导电型层构成的光电二极管，所述第二导电型层的周边部的框状外围部形成为比中央区域深。

11.一种电子仪器，其特征在于，具备彩色传感器，该彩色传感器通过使入射光穿透并列设置的多个滤色膜，并对应该滤色膜的颜色由受光元件转换为受光信号，其中，使入射光的部分波长穿透的干涉滤光膜设置在各所述受光元件的正上方，而且在该干涉滤光膜的正上方设置各所述滤色膜，所述受光元件是由第一导电型的半导体衬底、层积在所述第一导电型半导体衬底上的第一导电型层、和层积在所述第一导电型层上的第二导电型层构成的光电二极管，所述第二导电型层的周边部的框状外围部形成为比中央区域深。