[发明专利]形成受控的空隙的材料和方法有效
申请号: | 200710103575.6 | 申请日: | 2007-04-18 |
公开(公告)号: | CN101060095A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | R·N·弗尔蒂斯;吴定军;M·L·奥奈尔;M·D·比特纳;J·L·文森特;E·J·小卡瓦克基;A·S·卢卡斯 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | H01L21/764 | 分类号: | H01L21/764 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张轶东;韦欣华 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 受控 空隙 材料 方法 | ||
1.形成气隙的方法,方法包括:
(a)提供基底;
(b)在基底上沉积具有至少一种有机前体的牺牲层;
(c)在牺牲层上沉积具有成孔剂和至少一种含有氧化硅的前体或有机硅酸盐玻璃(OSG)前体的复合层,所述成孔剂是(b)中的至少一种有机前体;和
(d)对具有牺牲层和复合层的基底应用能量以除去牺牲层而提供气隙和除去成孔剂而形成多孔层。
2.权利要求1中所述的形成气隙的方法,其中至少一种有机前体是选自下面的至少一种:
(1)至少一种具有环状结构和通式CnH2n的环烃,其中n=4-14,并且环状结构中的碳原子数在4到10之间,并且至少一种环烃在环状结构上含有或不含有多个取代的简单烃或支链烃;
2)至少一种通式CnH(2n+2)-2y的直链或支链的、饱和的、单或多不饱和的烃,其中n=2-20,y=0-n;
3)至少一种具有环状结构和通式CnH2n-2x的单或多不饱和环烃,其中x是不饱和位置数,n=4-14,环状结构上的碳原子数在4和10之间,所述的至少一种单或多不饱和环烃任选地在环状结构上含有多个取代的简单烃或支链烃取代基,并且含有环内不饱和度或位于一个烃取代基上的不饱和度;
4)至少一种具有双环结构和通式CnH2n-2的双环烃,其中n=4-14,其中所述双环中的碳原子数为4-12,并且所述的至少一种双环烃任选地在双环结构中含有多个取代的简单烃或支链烃;
5)至少一种具有双环结构和通式CnH2n-(2+2x)的多不饱和双环烃,其中x是分子中不饱和位置数,n=4-14,其中双环结构中的碳原子数在4和12之间,并且所述的至少一种多不饱和双环烃任选地在双结构上含有多个取代的简单烃或支链烃取代基,并且含有环内不饱和度或位于一个烃取代基上的不饱和度;
6)至少一种具有三环结构和通式CnH2n-4的三环烃,其中n=4-14,所述 三环结构上的碳原子数在4和12之间,并且所述的至少一种三环烃任选地在环结构上含有多个取代的简单烃或支链烃;
7)至少一种含有一个或多个羟基并且具有通式CnH2n+2-2x-2y-z(OH)z的结构,其中n=1-12,并且其中x是所述结构中环的数目并且在0-4之间,并且其中y是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,并且其中z为所述化合物中所述的醇基的数目并且在1和4之间,并且其中所述的醇官能团在环外和/或环内;
8)至少一种包含一个或多个醚基并且具有通式CnH2n+2-2x-2yOz的结构,其中n=1-12,并且其中x是所述结构中环的数目并且在0-4之间,并且其中y是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,并且其中z为所述结构中醚键的数目并且在1和4之间,并且其中醚键在环外和/或环内;
9)至少一种包含一个或多个环氧基团并且具有通式CnH2n+2-2x-2y-2zOz的结构,其中n=1-12,并且其中x是所述结构中环的数目并且在0-4之间,并且其中y是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,并且其中z是所述结构中环氧基团的数量并且在1和4之间,并且其中环氧基团连接在环上或直链上;
10)至少一种包含一个或多个醛基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-2zOz的结构,其中n=1-12,并且其中x是所述结构中环的数目并且在0-4之间,并且其中y是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,并且其中z是所述结构中醛基的数目并且在1和4之间;
11)至少一种包含一个或多个酮基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-2zOz的结构,其中n=1-12,并且其中x是所述结构中环的数目并且在0-4之间,并且其中y是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,并且其中z是所述结构中酮基的数目并且在1和4之间,并且其中酮基在环外和/或环内;
12)至少一种包含一个或多个羧基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-3z(OOH)z的结构,其中n=1-12,并且其中x是所述结构中环的数目并且在0-4之间,并且其中y是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,并且其中z是所述结构中羧基的数目并且在1和4之间;
13)至少一种包含偶数个羧基并且其中酸官能团被脱水以形成环状酸酐基团的结构,其中所述结构的通式为CnH2n+2-2x-2y-6z(O3)z,其中n=1-12,并且 其中x是所述结构中环的数目并且在0-4之间,并且其中y是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,并且其中z是所述结构中酸酐基的数目并且为1或2;
14)至少一种包含酯基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-2z(O2)z的结构,其中n=1-12,并且其中x是所述结构中环的数目并且在0-4之间,并且其中y是所述结构中不饱和键的数目,其中没有不饱和键与酯的羰基共轭,并且其中z是所述结构中酸酐基的数目并且为1或2;
15)至少一种包含丙烯酸酯官能团并且通式为CnH2n+2-2x-2y-2z(O2)z的结构,其中所述官能团由酯基和至少一个与酯基的羰基共轭的不饱和键组成,其中n=1-12,其中x是所述结构中环的数目并且在0-4之间,其中y是所述结构中不饱和键的数目并且大于或等于1,其中至少一个所述的不饱和键与所述酯的羰基共轭,z是所述结构中酯基的数目并且为1或2;
16)至少一种包含醚基和羰基官能团并且通式为CnH2n+2-2w-2x-2z(O)y(O)z的结构,其中n=1-12,其中w是所述结构中环的数目并且在0-4之间,其中x是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,其中y是所述结构中羰基的数目,其中羰基是酮和/或醛,其中z是所述结构中醚基的数目并且为1或2,并且醚基在环外和/或环内 ;
17)包含醚和醇官能团并且通式为CnH2n+2-2w-2x-2z(OH)y(O)z的结构,其中n=1-12,其中w是所述结构中环的数目并且在0-4之间,其中x是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,其中y是所述结构中醇基的数目,并且其中z是所述结构中醚基的数目并且为1或2,并且其中醚基在环外和/或环内;
18)至少一种包含选自下列官能团:醇、醚、羰基和羧酸的任何组合并且通式为CnH2n+2-2u-2v-w-2y-3z(OH)w(O)x(O)y(OOH)z的结构,其中n=1-12,并且其中u是所述结构中环的数目并且在0-4之间,并且其中v是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,并且其中w是所述结构中醇基的数目并且在0和4之间,其中x是所述结构中醚基的数目且在0和4之间并且其中所述醚基是环外或环内的,其中y是所述结构中羰基的数目并且在0和3之间,其中所述羰基是酮和/或醛,其中z是所述结构中羧基的数目并且在0和2之间;
19)至少一种包含一个或多个伯胺基并且并且通式为CnH2n+2-2x-2y-z(NH2)z的结构,其中n=1-12,其中x是所述结构中环的数目并且在0-4之间,其中y是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,其中z为所述化合物中胺基的数目并且在1和4之间,并且其中所述胺官能团是环外和/或环内的;
20)至少一种包含一个或多个仲胺基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-2z(NH)z的结构,其中n=1-12,并且其中x是所述结构中环的数目并且在0-4之间,并且其中y是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,并且其中z为所述化合物中仲胺基的数目并且在1和4之间,并且其中所述胺官能团是环外和/或环内的;
21)至少一种包含一个或多个叔胺基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-3z(N)z的结构,其中n=1-12,并且其中x是所述结构中环的数目并且在0-4之间,并且其中y是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,z是所述化合物中叔胺基的数目并且在1和4之间,并且其中所述胺官能团是环外和/或环内的;
22)至少一种包含一个或多个硝基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-z(NO2)z的结构,其中n=1-12,并且其中x是所述结构中环的数目并且在0-4之间,并且其中y是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,并且其中z是所述化合物中硝基的数目并且在1和4之间,并且其中所述硝基官能团是环外和/或环内的;
23)至少一种包含胺和醚官能团并且通式为CnH2n+2-2u-2v-w-2x-3y-z(NH2)w(NH)x(N)y(OH)z的结构,其中n=1-12,并且其中u是所述结构中环的数目并且在0-4之间,并且其中v是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,并且其中w是伯胺基的数目,并且其中x是仲胺基的数目,并且其中y是叔胺基的数目,并且其中1<w+x+y<4,并且其中z是所述化合物中醇基的数目并且在1和4之间,并且其中所述醇基和/或胺基官能团是环外和/或环内的;
24)至少一种包含胺和醇官能团并且通式为CnH2n+2-2u-2v-w-2x-3y-z(NH2)w(NH)x(N)y(OH)z的结构,其中n=1-12,其中u是所述结构中环的数目并且在0-4之间,其中v是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间, 其中w是伯胺基的数目,其中x是仲胺基的数目,其中y是叔胺基的数目,并且其中1<w+x+y<4,其中z是所述化合物中醚基的数目并且在1和4之间,并且其中所述醚基和/或胺基是环外和/或环内的;
25)至少一种包含胺和羰基官能团并且通式为CnH2n+2-2u-2v-w-2x-3y-2z(NH2)w(NH)x(N)y(O)z的结构,其中n=1-12,其中u是所述结构中环的数目并且在0-4之间,其中v是所述结构中不饱和键的数目并且在0和n之间,其中w是伯胺基的数目,其中x是仲胺基的数目,其中y是叔胺基的数目,并且其中1<w+x+y<4,其中z是所述化合物中羰基的数目并且在1和4之间,其中所述羰基是醛和/或酮,其中所述羰基和/或胺基是环外和/或环内的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于气体产品与化学公司,未经气体产品与化学公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710103575.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:无果枸杞芽全价植物营养堡
- 下一篇:一种多功能游乐船
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造