[发明专利]有机发光显示器的像素电路

权利要求书

1、一种有机发光显示器的像素电路，该像素电路包括：

第一晶体管，该第一晶体管响应于来自扫描线的选择信号对来自数据线的数据信号进行发送；

第二晶体管，该第二晶体管响应于来自所述扫描线的选择信号对来自所述第一晶体管的所述数据信号进行发送；

第三晶体管，该第三晶体管具有与第一节点连接的栅极，与所述第二晶体管的第一电极连接的第一电极，以及与电源线连接的第二电极；

第一电容器，该第一电容器连接在所述第一节点与所述电源线之间以存储来自所述第三晶体管的所述数据信号；

第四晶体管，该第四晶体管生成驱动电流，其中该第四晶体管具有与第二节点连接的栅极，与所述电源线连接的第一电极，以及第二电极；

第五晶体管，该第五晶体管具有与所述第二晶体管的栅极连接的栅极，与所述第四晶体管的栅极连接的第一电极，以及与所述第四晶体管的所述第二电极连接的第二电极；

第二电容器，该第二电容器连接在所述第二节点与所述电源线之间以存储所述第四晶体管的阈电压；

第六晶体管，该第六晶体管响应于来自所述扫描线的所述选择信号向所述第四晶体管发送所述第一电容器和所述第二电容器的组合电压，以生成所述驱动电流；

第七晶体管，该第七晶体管对从所述第四晶体管施加的所述驱动电流进行发送；以及

有机发光二极管，该有机发光二极管发射与来自所述第七晶体管的所述驱动电流相对应的光。

2、根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述第三晶体管和所述第四晶体管具有相同的阈电压和相同的迁移率。

3、根据权利要求2所述的像素电路，其中，所述第三晶体管的沟道长度与沟道宽度之比不同于所述第四晶体管的沟道长度与沟道宽度之比。

4、根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述扫描线包括第一扫描线和第二扫描线，其中，所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极以及所述第五晶体管的栅极共同连接到所述第一扫描线。

5、根据权利要求4所述的像素电路，其中，所述第六晶体管的栅极和所述第七晶体管的栅极共同连接至所述第二扫描线。

6、根据权利要求5所述的像素电路，其中，所述第一电容器的电极和所述第二电容器的电极连接至第一电源线。

7、根据权利要求6所述的像素电路，其中，当通过所述第一扫描线施加低电平信号时，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第五晶体管导通，所述第一电容器存储与所述数据信号相对应的电压，并且所述第二电容器存储所述第四晶体管的所述阈电压。

8、根据权利要求7所述的像素电路，其中，当通过所述第二扫描线施加低电平信号时，所述第六晶体管和所述第七晶体管导通，并且所述第一电容器和所述第二电容器的组合电压被施加到所述第四晶体管的栅极，使得所述第四晶体管生成驱动电流，并且所述第七晶体管将该驱动电流施加到所述有机发光二极管。

9、根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述第一晶体管到所述第七晶体管是P沟道型金属氧化物半导体晶体管。

10、根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极、所述第五晶体管的栅极、所述第六晶体管的栅极以及所述第七晶体管的栅极共同连接至所述扫描线。

11、根据权利要求10所述的像素电路，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第五晶体管是P沟道型金属氧化物半导体晶体管，而所述第六晶体管和所述第七晶体管是N沟道型金属氧化物半导体晶体管。

12、根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述第一电容器的电极和所述第二电容器的电极连接到第一电源线，该第一电源线是负电源线。

13、根据权利要求12所述的像素电路，其中，所述第一晶体管到所述第七晶体管是N沟道型金属氧化物半导体晶体管。

14、根据权利要求13所述的像素电路，其中，所述有机发光二极管的阳极被连接至第二电源线，而所述有机发光二极管的阴极被连接至所述第七晶体管的一电极。

15、根据权利要求12所述的像素电路，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管以及所述第七晶体管共同连接到同一扫描线。