[发明专利]有机电激发光像素、有机电激发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机电激发光像素，包含：

基板；

第一电极，形成于该基板之上；

第一载流子注入层；

半穿透半反射金属层；

有机发光层；以及

第二电极；

其中该第一载流子注入层、该半穿透半反射金属层与该有机发光层形成于该第一电极与该第二电极之间，该第一电极及该第二电极中的至少一个电极为透明电极。

2.如权利要求1所述的有机电激发光像素，其中该有机发光层包含：

第二载流子注入层；以及

载流子传输层，形成于该第二载流子注入层之上。

3.如权利要求2所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层及该第二载流子注入层之间。

4.如权利要求2所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第二载流子注入层以及该载流子传输层之间。

5.如权利要求2所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第二载流子注入层之中。

6.如权利要求2所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该载流子传输层之中。

7.如权利要求2所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该载流子传输层之上。

8.如权利要求1所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层之中。

9.如权利要求1所述的有机电激发光像素，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层以及该第一电极之间。

10.如权利要求1所述的有机电激发光像素，该半穿透半反射金属层包含：

像素范围区域，该像素范围区域的横向尺寸小于该半穿透半反射金属层的横向尺寸；以及

边界区域，位于该有机电激发光像素中、该像素范围区域外的区域；

其中该边界区域的最大发光亮度小于或等于该像素范围区域的最大发光亮度的百分之五十。

11.一种有机电激发光元件，包含：

基板；以及

多个电连接的有机电激发光像素，形成于该基板之上，每个所述有机电激发光像素包含：

第一电极，形成于该基板之上；

第一载流子注入层；

有机发光层；以及

第二电极；

其中，至少一个所述有机电激发光像素包含半穿透半反射金属层，该第一载流子注入层、该半穿透半反射金属层与该有机发光层形成于该第一电极与该第二电极之间，该第一电极及该第二电极中的至少一个电极为透明电极。

12.如权利要求11所述的有机电激发光元件，其中该有机发光层包含：

第二载流子注入层；以及

载流子传输层，形成于该第二载流子注入层之上。

13.如权利要求12所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层及该第二载流子注入层之间。

14.如权利要求12所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第二载流子注入层以及该载流子传输层之间。

15.如权利要求12所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第二载流子注入层之中。

16.如权利要求12所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该载流子传输层之中。

17.如权利要求12所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该载流子传输层之上。

18.如权利要求11所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层之中。

19.如权利要求11所述的有机电激发光元件，其中该半穿透半反射金属层形成于该第一载流子注入层以及该第一电极之间。