[发明专利]去除光阻层的方法及使用此方法的半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种光阻层的去除方法，该光阻层已进行一个过程使其表面形成硬化层，且该硬化层包覆软光阻层，该方法包括：

进行第一移除步骤，移除该硬化层，以裸露出该软光阻层；以及

进行第二移除步骤，移除该软光阻层，

其中该第一移除步骤与该第二移除步骤在不同的反应室进行，并且进行该第一移除步骤的温度低于进行该第二移除步骤的温度，且低于该光阻层中的溶剂的气化点。

2.根据权利要求1的光阻层的去除方法，其中该过程为离子植入过程。

3.根据权利要求1的光阻层的去除方法，其中该第一移除步骤与该第二移除步骤均采用干式移除过程。

4.根据权利要求3的光阻层的去除方法，其中该干式移除过程包括等离子体移除过程。

5.根据权利要求4的光阻层的去除方法，其中该第一移除步骤的该等离子体移除过程是以顶针下降(pin down)的方式进行。

6.根据权利要求3的光阻层的去除方法，其中第一移除步骤的该干式移除过程的温度为30至100摄氏度。

7.根据权利要求1的光阻层的去除方法，其中该第一移除步骤与该第二移除步骤均采用湿式移除过程。

8.根据权利要求7的光阻层的去除方法，其中该第一移除步骤的该湿式移除过程的温度为50至140摄氏度。

9.根据权利要求1的光阻层的去除方法，其中该第一移除步骤与该第二移除步骤中一种采用干式移除过程，另一种采用湿式移除过程。

10.根据权利要求9的光阻层的去除方法，其中该干式移除过程包括等离子体移除过程。

11.根据权利要求10的光阻层的去除方法，其中该第一移除步骤采用该等离子体移除过程，且是以顶针下降(pin down)的方式进行。

12.根据权利要求9的光阻层的去除方法，其中第一移除步骤采用该干式移除过程，其温度为30至100摄氏度。

13.根据权利要求9的光阻层的去除方法，其中第一移除步骤采用该湿式移除过程，其温度为50至140摄氏度。

14.根据权利要求1的光阻层的去除方法，其中该过程包括离子植入过程。

15.一种半导体元件的制造方法，包括：

在基底上形成光阻材料层；

图案化该光阻材料层，以形成第一光阻图案层与第二光阻图案层，该第一光阻图案层的面积小于该第二该光阻图案层的面积；

以该第一光阻图案层与第二光阻图案层为罩幕，进行离子植入过程，以在该基底中形成掺杂区，该第一光阻图案层完全形成第一硬化层，且该第二光阻层的表面形成第二硬化层以及位于第二硬化层之中的软光阻层；

进行第一移除步骤，移除该第一硬化层与该第二硬化层，以裸露出该软光阻层；以及

进行第二移除步骤，移除该软光阻层，

其中该第一移除步骤与该第二移除步骤在不同的反应室中进行，并且进行该第一移除步骤的温度低于进行该第二移除步骤的温度且低于该软光阻层中的溶剂的气化点。

16.根据权利要求15的半导体元件的制造方法，其中该第一移除步骤与该第二移除步骤均采用干式移除过程。

17.根据权利要求16的半导体元件的制造方法，其中该干式移除过程包括等离子体移除过程。

18.根据权利要求17的半导体元件的制造方法，其中该第一移除步骤的该等离子体移除过程是以顶针下降的方式进行。

19.根据权利要求16的半导体元件的制造方法，其中该第一移除步骤的该干式移除过程的温度为30至100摄氏度。

20.根据权利要求15的半导体元件的制造方法，其中该第一移除步骤与该第二移除步骤均采用湿式移除过程。

21.根据权利要求20的半导体元件的制造方法，其中该第一移除步骤的该湿式移除过程的温度为50至140摄氏度。

22.根据权利要求15的半导体元件的制造方法，其中该第一移除步骤与该第二移除步骤中一种采用干式移除过程，另一种采用湿式移除过程。