[发明专利]一种射频发射器及其中的驱动器放大电路

说明书

技术领域

本发明涉及双功率模式的发射器(transmitter)，更具体地说，涉及能够以正常功率模式和低功率模式工作的发射器。

背景技术

电池体积是限制小型移动设备的制造的一个主要约束。围绕这种限制并将移动设备做得更小的一种设计方式是，使用小型电池，同时提高移动设备的功率效率(power efficiency)。在装配有无线通信功能的移动设备中，例如移动电话、个人数字助理(PDA)和膝上型电脑中，该系统的放大级是其中一个消耗大部分功率的主要电路元件。

通常，移动设备包括放大级，放大级包括可编程增益放大器或缓冲器、功率放大驱动器或驱动放大器以及功率放大器。放大级通常被配置为提供特定功率输出，该输出被优化为适合移动设备的用途。。但是，这种功率输出优化是恒定的。因此，当移动设备进入低功率模式时，放大级仍然消耗与其处于正常或者高功率模式时相同数量的电能。

因此，期待一种具有多种功率操作模式的放大级，例如正常功率模式和低功率模式。还期待一种在低功率模式时消耗较少电能的放大级。

发明内容

本发明的一方面提供一种射频(RF)发射器，包括：

增益控制级，其用于输出具有预设功率水平的RF信号；以及

可调放大级，其用于接收RF信号，该可调放大级配置为放大RF信号并输出具有输出功率水平的放大信号，其中，所述输出功率水平是可调节的且独立于所接收的RF信号的预设功率水平的任何调节。

优选地，所述可调放大级是可调驱动放大器。

优选地，所述可调放大级包括：

第一多个射地-基地级(cascode stage)，每个射地-基地级具有第一端子(terminal)和第二端子，所述第一端子与第一节点连接，所述第二端子与第二节点连接；以及

第二多个射地-基地级，每个射地-基地级具有第三端子和第四端子，所述第三端子与第三节点连接，所述第四端子与第四节点连接；

其中，所述第一多个射地-基地级和第二多个射地-基地级中，相同数量的射地-基地级被偏压。

优选地，第一射地-基地级包括：

第一晶体管，其漏极连接到所述第一节点，栅极连接到偏压控制电路(bias control circuit)；以及

第二晶体管，其漏极连接到所述第一晶体管的源极，其源极连接到所述第二节点，其栅极连接到第一输入信号；以及

第二射地-基地级包括：

第三晶体管，其漏极连接到所述第三节点，其栅极连接到偏压控制电路；以及

第四晶体管，其漏极连接到所述第三晶体管的源极，其源极连接到所述第四节点，其栅极连接到第二输入信号。

优选地，所述第一输入信号是所述RF信号的同相信号部分。

优选地，所述第二输入信号与所述第一输入信号异相90°。

根据本发明的另一方方面，提供一种驱动器放大电路，包括：

偏压控制电路；

第一多个射地-基地级，每个射地-基地级具有第一端子、第二端子和第一偏压端子，所述第一端子连接到第一节点，所述第二端子连接到第二节点，所述第一偏压端子连接到所述偏压控制电路；以及

第二多个射地-基地级，每个射地-基地级具有第三端子、第四端子和第二偏压端子，所述第三端子连接到第三节点，所述第四端子连接到第四节点，所述第二偏压端子连接到所述偏压控制电路；

其中，所述第一多个射地-基地级和第二多个射地-基地级中，相同数量的射地-基地级被所述偏压控制电路偏压，以调节所述第一和第三节点上的各自输出电流。

优选地，所述第一多个射地-基地级中的每个射地-基地级包括：

第一晶体管，其漏极连接到第一节点，其栅极连接到偏压控制电路；以及

第二晶体管，其漏极连接到所述第一晶体管的源极，其源极连接到第二节点，其栅极连接到第一输入信号；以及

所述第二多个射地-基地级中的每个射地-基地级包括：

第三晶体管，其漏极连接到第三节点，其栅极连接到偏压控制电路；以及

第四晶体管，其漏极连接到所述第三晶体管的源极，其源极连接到所述第四节点，其栅极连接到第二输入信号。

优选地，每个所述驱动器放大器级中的每个晶体管具有近似相同的大小。

优选地，每个所述驱动器放大器级的大小彼此不同。

优选地，所述偏压控制电路使用共同的偏压信号来偏压所述第一多个射地-基地级和第二多个射地-基地级。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：