[发明专利]红外辐射反射透明层体系有效

专利信息
申请号: 200710104247.8 申请日: 2007-05-23
公开(公告)号: CN101078780A 公开(公告)日: 2007-11-28
发明(设计)人: 克里斯托弗·科克尔特;霍尔格·普勒尔;法尔克·米尔德 申请(专利权)人: 冯·阿德纳设备有限公司
主分类号: G02B1/10 分类号: G02B1/10;G02B5/08;C03C17/245
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 车文;郑立
地址: 德国德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 红外 辐射 反射 透明 体系
【权利要求书】:

1.一种在透明基质(S)上的红外辐射反射透明层体系,所述体系具有包括选择性功能层(5)的红外辐射反射层序(11),其特征在于具有低至中折射率的透明第一介电层(1)直接布置在基质(S)上,并且在红外辐射反射层序(11)之下,所述第一介电层(1)主要包含金属、半导体或半导体合金的氧氮化物,其中所述第一介电层(1)的折射率约等于基质(S)的折射率,

其中在550nm可见光的主波长下,具有低至中折射率的第一介电层(1)的折射率在1.50和1.85之间的范围。

2.根据权利要求1的红外辐射反射透明层体系,其特征在于从基质(S)向上看,层体系的顶层是具有低至中折射率的透明的第二介电层(10),所述透明的第二介电层(10)主要包含金属、半导体或半导体合金的氧氮化物,

其中在550nm可见光的主波长下,具有低至中折射率的第二介电层(10)的折射率在1.5和1.95之间。

3.根据权利要求1或2的红外辐射反射透明层体系,其特征在于具有低至中折射率的第一介电层(1)的折射率在1.60和1.75之间的范围。

4.根据权利要求2的红外辐射反射透明层体系,其特征在于具有低至中折射率的第二介电层(10)的折射率在1.60和1.85之间的范围。

5.根据权利要求2的红外辐射反射透明层体系,其特征在于具有低至中折射率的第一和第二介电层(1,10)具有大约相同的折射率。

6.根据权利要求2的红外辐射反射透明层体系,其特征在于具有低至中折射率的第一和/或第二介电层(1,10)主要包含硅的氧氮化物。

7.根据权利要求6的红外辐射反射透明层体系,其特征在于具有低至中折射率的第一介电层(1)的含氧和/或含氮量不同于具有低至中折射率的第二介电层(10)的含氧和/或含氮量。

8.根据权利要求2的红外辐射反射透明层体系,其特征在于具有低至中折射率的第一和第二介电层(1,10)由相同材料制成。

9.根据权利要求2的红外辐射反射透明层体系,其特征在于具有低至中折射率的第一和/或第二介电层(1,10)还包含其它材料的混合物。

10.根据权利要求1或2的红外辐射反射透明层体系,其特征在于具有低至中折射率的第一介电层(1)的光学厚度小于波长的八分之一,所述波长表示该层体系透明光谱范围的主波长。

11.根据权利要求1或2的红外辐射反射透明层体系,其特征在于具有低至中折射率的第一介电层(1)是梯度层,所述梯度层具有沿功能层(5)的方向减少的含氧和/或含氮量。

12.根据权利要求2的红外辐射反射透明层体系,其特征在于具有低至中折射率的第二介电层(10)是梯度层,所述梯度层具有沿功能层(5)的方向减少的含氧量。

13.根据权利要求1或2的红外辐射反射透明层体系,其特征在于从基质(S)向上看,透明的第一高折射率介电层(2)布置在具有低至中折射率的第一介电层(1)上面,所述第一高折射率介电层(2)是金属、半导体或半导体合金的氧化物或氮化物,

其中第一高折射率介电层(2)的折射率在550nm波长的光下等于1.9至2.6。

14.根据权利要求1或2的红外辐射反射透明层体系,其特征在于层序(11)布置有作为反射减少层的透明的第二高折射率介电层(9),所述第二高折射率介电层(9)包含硅,

其中第二高折射率介电层(9)的折射率在550nm波长的光下等于1.9至2.6。

15.根据权利要求13的红外辐射反射透明层体系,其特征在于第一高折射率介电层的折射率在2.0和2.5之间的范围。

16.根据权利要求14的红外辐射反射透明层体系,其特征在于第二高折射率介电层的折射率在2.0和2.5之间的范围。

17.根据权利要求1或2的红外辐射反射透明层体系,其特征在于该层体系具有多于一个的功能层(5)。

18.根据权利要求1或2的红外辐射反射透明层体系,其特征在于该层体系至少具有阻挡层(3,7)。

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