[发明专利]使用非易失性高速缓存的存储装置及其控制方法

说明书

技术领域

本发明的一个实施例涉及使用非易失性高速缓存的存储装置及其控制方法，且能够实现低功耗和高速读取/写入操作的该存储装置被配置为特别消除重要数据的存储错误。

背景技术

近些年来，其上可装有存储卡(memory card)和硬盘(HD)驱动器的存储装置得到了发展(参照日本专利申请公开No.2004-055102)，其中，存储卡为半导体存储介质，硬盘驱动器使用作为磁存储介质的硬盘。例如，取自外部的存储卡数据可被备份到作为磁存储介质的硬盘(HD)上。另外，硬盘(HD)的数据可被传送到存储卡并可被由此取出。

作为移动存储装置，使用闪存的存储装置得到了开发(参照日本专利公开No.3407317)。当闪存擦除操作的次数变大时(例如100,000次)，闪存上发生大量错误，因此，人们做出了努力以解决上述问题。例如，提供了抑制特定区域的擦除操作次数变得较大的数据管理方法。

如上所述，存在使用多个不同类型的记录介质的装置，但它们各自具有优点与缺点。尽管存储卡和闪存等半导体装置具有低的功耗和高的写入速度，它们不适用于存储大容量数据。另一方面，硬盘适用于长时间存储大容量数据，但其在低功耗和高速数据写入方面劣于半导体装置。

发明内容

本发明的实施例的目的在于提供一种存储装置及其控制方法，该存储装置提供用于在多个不同类型的存储介质中存储数据的指令并使用能够消除重要数据存储错误的非易失性高速缓存。

根据本发明的一个实施形态，提供了一种存储装置，该存储装置包括：主机接口；硬盘接口，其作为到硬盘的接口；闪存接口，其作为到闪存的接口；指令分析部分，其分析从主机接口输入的指令；数据写入操作处理部分，当在指令分析部分中分析的指令是作为将数据写入多个介质的指令的、用于贯穿写入(write-through)的预定指令时，其在硬盘和闪存上进行数据写入操作。

实施例的其他目的和优点将在后面的介绍中给出，并在一定程度上可从介绍明了或可从本发明的实践中理解。借助下文特别指出的手段及组合，可以实现和获得本发明的目的和优点。

附图说明

附图被包含在说明书中并构成说明书的一部分，其示出了本发明的实施例，并与上面给出的概述以及下面给出的对实施例的详细介绍一起用于阐释本发明的原理。

图1为一典型框图，其示出了根据本发明一实施例的总体构造；

图2示出了图1所示闪存的特征；

图3示出了图1所示闪存接口与控制器311的功能；

图4示出了图1所示闪存的数据区域的一个实例；

图5为一流程图，其示出了图1所示装置的一个运行实例；

图6为一流程图，其示出了图1所示装置的另一运行实例；

图7为一流程图，其示出了图1所示装置的进一步的运行实例；

图8为一流程图，其示出了图1所示装置何时转换到贯穿写入操作模式的一个判定实例。

具体实施方式

下面将参照附图介绍本发明的不同实施例。

一个实施例提供了一种存储装置及其控制方法，该存储装置提供了用于在多个不同类型的存储介质中存储数据的指令并使用了能够消除重要数据的存储错误的非易失性高速缓存。

本实施例包括：主机接口；硬盘接口，其作为到硬盘的接口；闪存接口，其作为到闪存的接口；指令分析部分，其对从主机接口输入的指令的内容进行分析；数据写入操作处理部分，当在指令分析部分中分析的指令是作为将数据写入多个介质的指令的、用于贯穿写入的预定指令时，其在硬盘和闪存上进行数据写入操作。

使用上述过程并通过利用预定指令，能够改善数据处理和数据写入操作的可靠性。

现在将更为具体地对该实施例进行介绍。

<整体构造和功能>

首先，参照图1阐释本实施例的总体方块的实例。参考标号100表示主机装置，其例如为个人计算机中的控制部分。参考标号200表示使用非易失性高速缓存的存储装置。存储装置200包括：例如作为缓冲器的SDRAM 201；单片大规模集成电路(LSI)202，其上装有将在后文介绍的控制器等等；闪存203，其作为非易失性存储器；硬盘(HD)204，其由硬盘驱动器(未示出)进行驱动。

LSI 202包括控制器311、主机接口312、SDRAM接口313、盘接口314和闪存接口315。SDRAM 201可被包含在LSI 202中。另外，不仅SDRAM、还有闪存与SDRAM二者或仅闪存可被包含在LSI中。