[发明专利]制备半导体衬底的方法有效
| 申请号： | 200710104569.2 | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101312125A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 村上贤史;森本信之;西畑秀树;远藤昭彦 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;韦欣华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 衬底 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备半导体衬底的方法，其包括下述步骤：在形成硅层的活性层晶片上形成厚度不超过50nm的氧化物膜，将氢离子注入活性层晶片以形成氢离子注入层，注入不同于氢的其它离子直到自氢离子注入表面侧的深度比氢离子注入层浅的位置，通过所述氧化物膜将活性层晶片层压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在所述氢离子注入层处剥落。
2.一种制备半导体衬底的方法，其包括下述步骤：在形成硅层的活性层晶片上形成厚度不超过50nm的氧化物膜，注入不同于氢的其它离子到活性层晶片中直到比活性层晶片的待剥落的区域浅的位置，将氢离子注入所述待剥落的区域以形成氢离子注入层，通过氧化物膜将活性层晶片层压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落。
3.一种如权利要求1或2所述的制备半导体衬底的方法，其中在层压活性层晶片与支承衬底晶片之前进行等离子处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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