[发明专利]输出/入元件与控制具数个输出/入元件的集成电路的方法有效
申请号: | 200710104791.2 | 申请日: | 2007-04-27 |
公开(公告)号: | CN101136401A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 郭秉捷;王守琮;曾柏森;唐志淳;陈新福 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/48;H04B1/40 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出 元件 控制 具数个 集成电路 方法 | ||
1.一种输出/入元件,用于一集成电路产品,该输出/入元件包含有:
一接合焊垫;
一信号传递电路,该信号传递电路连接到所述的接合焊垫,可以将一信号由一核心电路传往所述的接合焊垫,或是由所述的接合焊垫传往所述的核心电路;以及
一封锁单元,该封锁单元具有一控制端,耦接在所述的接合焊垫与所述的信号传递电路之间,所述的控制端接收一致动信号;
其中,当所述的致动信号被禁能时,所述的封锁单元将所述的接合焊垫的电位锁到一预设电位,以阻挡所述的接合焊垫到所述的信号传递电路之间的信号传递;
当所述的致动信号被致能时,所述的封锁单元则不会将所述的接合焊垫的电位锁到所述的预设电位。
2.如权利要求1所述的输出/入元件,其特征在于,所述的信号传递电路为一无线接收器,且当所述的集成电路产品的一无线发送器发送一无线信号时,所述的致动信号被禁能。
3.如权利要求1所述的输出/入元件,其特征在于,所述的信号传递电路为一RF发送器,且当所述的集成电路产品的一RF接收器接收一无线信号时,所述的致动信号被禁能。
4.如权利要求1所述的输出/入元件,其特征在于,所述的封锁单元为一静电放电防护元件。
5.如权利要求4所述的输出/入元件,其特征在于,所述的ESD防护元件为具有一多指状栅极的一金属氧化半导体晶体管,所述的多指状栅极作为所述的控制端。
6.如权利要求4所述的输出/入元件,其特征在于,所述的ESD防护元件具有一硅控整流器。
7.如权利要求4所述的输出/入元件,其特征在于,所述的ESD防护元件为具有一多指状栅极的一金属氧化半导体晶体管,所述的多指状栅极连接到一电阻的一端,所述的电阻的另一端作为所述的控制端。
8.如权利要求1所述的输出/入元件,其特征在于,所述的预设电位为VDD或是接地。
9.一种控制具有数个输出/入元件的一集成电路的方法,每一输出/入元件包含有:
一接合焊垫;以及
一信号传递电路,该信号传递电路连接到所述的接合焊垫,可将一信号由一所述的心电路传往所述的接合焊垫,或是由所述的接合焊垫传往所述的核心电路;以及
所述的这些输出/入元件的一第一输出/入元件另包含有一,该封锁单元连接到所述的第一输出/入元件的所述的接合焊垫,且具有一控制端以接收一致动信号;
所述的方法包含有:
当所述的第一输出/入元件需要通过所述的第一输出/入元件的所述的信号传递电路传送信号时,致能所述的致动信号;以及
禁能所述的致动信号,以将所述的第一输出/入元件的所述的接合焊垫的电位,通过所述的封锁单元,锁到一预设电位。
10.如权利要求9所述的控制具有数个输出/入元件的一集成电路的方法,其特征在于,所述的第一输出/入元件的所述的信号传递电路为一RF接收器,且当所述的集成电路产品的一RF发送器发送一RF信号时,所述的致动信号被禁能。
11.如权利要求9所述的控制具有数个输出/入元件的一集成电路的方法,其特征在于,所述的第一输出/入元件的所述的信号传递电路为一RF发送器,且当所述的集成电路产品的一RF接收器接收一RF信号时,所述的致动信号被禁能。
12.如权利要求9所述的控制具有数个输出/入元件的一集成电路的方法,其特征在于,所述的封锁单元为一静电放电防护元件。
13.如权利要求12所述的控制具有数个输出/入元件的一集成电路的方法,其特征在于,所述的ESD防护元件为具有一多指状栅极的一金属氧化半导体晶体管,所述的多指状栅极作为所述的控制端。
14.如权利要求12所述的控制具有数个输出/入元件的一集成电路的方法,其特征在于,所述的ESD防护元件为具有一硅控整流器。
15.如权利要求12所述的控制具有数个输出/入元件的一集成电路的方法,其特征在于,所述的ESD防护元件为具有一多指状栅极的一金属氧化半导体晶体管,所述的多指状栅极连接到一电阻的一端,所述的电阻的另一端作为所述的控制端。
16.如权利要求9所述的控制具有数个输出/入元件的一集成电路的方法,其特征在于,所述的预设电位为VDD或是接地。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的