[发明专利]半导体制造装置

权利要求书

1.一种半导体制造装置，包括反应容器和用于将至少一种成膜用气体供给至所述反应容器内的至少一个成膜用喷嘴，通过将所述成膜用的气体供给至所述反应容器内，反复进行原子层级或分子层级的堆积，在配置于所述反应容器内的半导体基板上形成膜，其特征在于：

所述半导体制造装置为立式分批式装置，在沿上下方向并列地将多片半导体基板以水平姿势收容在所述反应容器内的状态下，一并对所述多片半导体基板进行成膜处理，

所述反应容器具有用于排出其内部气体的排气口，

所述至少一种成膜用气体包含第一成膜用气体和第二成膜用气体，

用于供给所述第一成膜用气体的成膜用喷嘴为分散型喷嘴，具有从侧面向着所述多片半导体基板喷出所述第一成膜用气体的多个喷嘴孔，

所述半导体制造装置还具有将至少一种涂层用气体供给至所述反应容器内的至少一个涂层用喷嘴，所述涂层用气体用于在预涂敷时，在暴露于所述反应容器内的气氛中的部件上形成预涂层膜，

所述至少一种涂层用气体包括第一涂层用气体和第二涂层用气体，

所述第一成膜用气体为与所述第一涂层用气体相同种类的气体，

用于供给所述第一涂层用气体的涂层用喷嘴为具有喷嘴孔的L字型喷嘴，所述喷嘴孔在所述反应容器内的与配置所述多片半导体基板的区域相比，距离所述排气口远的位置开口。

2.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：

所述第二成膜用气体为含有金属的气体，

所述第二涂层用气体为含有金属的气体，

所述第一成膜用气体和所述第一涂层用气体都为臭氧。

3.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：

所述至少一种成膜用气体包含第三成膜用气体，

所述第三成膜用气体为与所述第二涂层用气体同一种类的气体。