[发明专利]浅沟渠隔离结构及浮置栅极的制作方法

权利要求书

1.一种浅沟渠隔离结构的制作方法，包括：

提供基底，该基底上已形成有图案化掩模层，该图案化掩模层中具有开口；

在该图案化掩模层的侧壁形成间隙壁，其中该间隙壁在该开口侧的侧壁与该图案化掩模层的上表面之间具有钝角；

以该图案化掩模层以及该间隙壁为掩模，在该基底中形成沟渠；

在该沟渠中填入介电层；以及

移除该图案化掩模层与该间隙壁。

2.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制作方法，其中在该沟渠中填入该介电层的方法包括：

在该图案化掩模层上形成介电材料层，该介电材料层填入该沟渠中；以及

进行化学机械研磨工艺，以移除位于该沟渠之外的该介电材料层。

3.如权利要求2所述的浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该介电材料层的形成方法包括化学气相沉积法。

4.如权利要求2所述的浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该介电材料层的材料包括以臭氧/四乙基硅酸盐为气体源所形成的氧化硅。

5.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该钝角大于93°。

6.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该间隙壁的形成方法包括：

在该图案化掩模层上形成间隙壁材料层；以及

进行各向异性蚀刻工艺，以移除部分该间隙壁材料层。

7.如权利要求6所述的浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该间隙壁材料层的形成方法包括原位蒸汽生成法或热氧化法。

8.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该间隙壁的材料包括氧化硅。

9.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制作方法，其中该图案化掩模层的材料包括氮化硅。

10.一种浮置栅极的制作方法，包括：

提供基底，该基底上已依次形成有栅极介电层、第一导体层以及图案化掩模层，该图案化掩模层中具有开口；

在该图案化掩模层的侧壁形成间隙壁，其中该间隙壁在该开口侧的侧壁与该图案化掩模层的上表面之间具有钝角；

移除未被该图案化掩模层与该间隙壁覆盖的该第一导体层、该栅极介电层与部分该基底，以在该基底中形成沟渠；

在该沟渠中形成隔离结构；

移除该图案化掩模层与该间隙壁；以及

在该隔离结构两侧的该基底上形成第二导体层。

11.如权利要求10所述的浮置栅极的制作方法，其中该隔离结构的形成方法包括：

在该图案化掩模层上形成介电材料层，该介电材料层填入该沟渠中；以及

进行化学机械研磨工艺，以移除位于该沟渠之外的该介电材料层。

12.如权利要求11所述的浮置栅极的制作方法，其中该介电材料层的形成方法包括化学气相沉积法。

13.如权利要求11所述的浮置栅极的制作方法，其中该介电材料层的材料包括以臭氧/四乙基硅酸盐为气体源所形成的氧化硅。

14.如权利要求10所述的浮置栅极的制作方法，其中该钝角大于93°。

15.如权利要求10所述的浮置栅极的制作方法，其中该第二导体层的形成方法包括：

在该基底上形成导体材料层，该导体材料层顺应性地覆盖该隔离结构与该第一导体层；以及

进行化学机械研磨工艺，以移除部分导体材料层，至暴露出该隔离结构的上表面。

16.如权利要求10所述的浮置栅极的制作方法，其中该间隙壁的形成方法，包括：

在该图案化掩模层上形成间隙壁材料层；以及

进行各向异性蚀刻工艺，以移除部分该间隙壁材料层。

17.如权利要求16所述的浮置栅极的制作方法，其中该间隙壁材料层的形成方法包括原位蒸汽生成法或热氧化法。

18.如权利要求10所述的浮置栅极的制作方法，其中该第一导体层的材料包括非晶硅。

19.如权利要求10所述的浮置栅极的制作方法，其中该第二导体层的材料包括非晶硅。

20.如权利要求10所述的浮置栅极的制作方法，其中该间隙壁的材料包括氧化硅。

21.如权利要求10所述的浮置栅极的制作方法，其中该图案化掩模层的材料包括氮化硅。