[发明专利]多重反射层电极以及含有该电极的化合物半导体发光器件

权利要求书

1.一种形成在化合物半导体发光器件的p型半导体层上的多重反射层电极，所述化合物半导体发光器件包括n型半导体层、有源层和所述p型半导体层，所述多重反射层电极包括：

叠置在所述p型半导体层上的反射层；

叠置在所述反射层上从而防止所述反射层聚结的聚结防止层；以及

插入在所述反射层和所述聚结防止层之间从而防止所述聚结防止层的扩散的扩散阻挡物。

2.根据权利要求1所述的多重反射层电极，还包括形成在所述聚结防止层上从而防止所述聚结防止层的氧化的氧化防止层。

3.根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述反射层是反射欧姆接触层。

4.根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述反射层由Ag、Ag基合金和Ag基氧化物构成的组中选取的一种材料形成。

5.根据权利要求4所述的多重反射层电极，其中所述Ag基合金包括从Al、Rh、Cu、Pd、Ni、Ru、Ir和Pt构成的溶质元素组中选取的至少一种元素。

6.根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述扩散阻挡物由透明导电材料形成。

7.根据权利要求6所述的多重反射层电极，其中所述透明导电材料包括从Ti-N、Mo-O、Ru-O、Ir-O和In-O构成的组中选取的至少一种材料。

8.根据权利要求7所述的多重反射层电极，其中所述In-O还包括从Sn、Zn、Ga、Cu和Mg构成的组中选取的至少一种掺杂剂。

9.根据权利要求8所述的多重反射层电极，其中添加到所述In-O的掺杂剂的含量是0.1-49原子百分比。

10.根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述聚结防止层由Al或Al基合金形成。

11.根据权利要求10所述的多重反射层电极，其中所述Al基合金包括从Ag、Rh、Cu、Pd、Ni、Ru、Ir和Pt构成的溶质元素组中选取的至少一种元素。

12.根据权利要求2所述的多重反射层电极，其中所述氧化防止层由Au、Rh、Pd、Cu、Ni、Ru、Ir和Pt构成的组中选取的至少一种材料形成。

13.根据权利要求12所述的多重反射层电极，其中所述氧化防止层以单层或多层结构形成。

14.根据权利要求1所述的多重反射层电极，还包括接触电极层，所述接触电极层插入在所述p型半导体层与所述反射层之间并减小所述p型半导体层与所述反射层之间的接触电阻。

15.根据权利要求14所述的多重反射层电极，其中所述接触电极层由La基合金、Ni基合金、Zn基合金、Cu基合金、热电氧化物、掺杂氧化物、ITO和ZnO构成的组中选取的至少一种材料形成。

16.根据权利要求15所述的多重反射层电极，其中所述掺杂氧化物中的掺杂元素包括从Mg、Ag、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr和La构成的组中选取的至少一种。

17.根据权利要求15所述的多重反射层电极，其中所述接触电极层的厚度为0.1-200nm。

18.根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述反射层、所述扩散阻挡物和所述聚结防止层中每一个的厚度为1-1000nm。

19.根据权利要求2所述的多重反射层电极，其中所述氧化防止层的厚度为1-1000nm。

20.根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中在顺序叠置所述反射层、所述扩散阻挡物和所述聚结防止层之后，在300℃至600℃下退火叠置的所得结构。

21.根据权利要求2所述的多重反射层电极，其中在顺序叠置所述反射层、所述扩散阻挡物、所述聚结防止层和所述氧化防止层之后，在300℃至600℃下退火叠置的所得结构。

22.根据权利要求15所述的多重反射层电极，其中在顺序叠置所述接触电极层、所述反射层、所述扩散阻挡物、所述聚结防止层和所述氧化防止层之后，在300℃至600℃下退火叠置的所得结构。