[发明专利]鳍状晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种制造鳍状晶体管的方法，该方法包括：

利用隔离掩模，使提供在衬底上方的第一垫层图案化；

利用所述隔离掩模和所述第一垫层，蚀刻所述衬底以形成沟槽；

使用绝缘材料填充所述沟槽，以形成隔离结构；

使用具有绝缘材料对第一垫层的高选择比的气体，蚀刻在所述沟槽中的隔离结构，以形成鳍状结构；

在所述鳍状结构上方，形成栅极绝缘层；和

在所述栅极绝缘层上方，形成导电层。

2.权利要求1的方法，其中所述第一垫层包含氮化物基材料，所述方法还包括：

在所述衬底上方形成第二垫层，其中所述第二垫层提供在所述衬底和所述第一垫层之间；和

在形成所述栅极绝缘层之前，先移除所述第一垫层。

3.权利要求2的方法，其中蚀刻隔离结构包括使用气体，所述气体包括选自高碳含量的气体、高碳和氢含量的气体、及其组合的其中之一。

4.权利要求3的方法，其中所述高碳含量的气体包括C_xF_y气体，其中x≥2和y≥1。

5.权利要求4的方法，其中所述C_xF_y气体包括选自C₂F₆、C₃F₈、C₄F₆和C₅F₈中的一种气体。

6.权利要求3的方法，其中所述高碳和氢含量的气体包括C_xH_yF_z气体，其中x≥1，y≥2和z≥1。

7.权利要求6的方法，其中所述C_xH_yF_z气体包括CH₂F。

8.权利要求2的方法，其中移除所述第一垫层包括使用湿化学品。

9.权利要求8的方法，其中所述湿化学品包括磷酸(H₃PO₄)溶液。

10.权利要求9的方法，其中所述隔离结构被蚀刻至500或更大的厚度。

11.权利要求1的方法，其中所述隔离结构包括氧化物，其中所述鳍状结构是鞍型鳍片结构。

12.一种制造鞍型鳍片晶体管的方法，该方法包括：

在衬底上方形成垫层；

蚀刻所述衬底以形成第一和第二沟槽，所述第一和第二沟槽限定二者之间的部分衬底；

使用绝缘材料填充所述第一和第二沟槽，以分别形成第一和第二隔离结构，其中所述垫层提供在所述部分衬底的上方；

使用具有隔离材料对垫层的高选择比的气体，蚀刻所述第一和第二隔离结构，使得所述部分衬底突出于被蚀刻的所述第一和第二隔离结构的上表面上方；

移除所述垫层，以暴露出所述部分衬底的上表面；和

蚀刻所述部分衬底，以减少所述部分的高度，从而形成鞍型鳍片。

13.权利要求12的方法，其中所述垫层包含氮化物基材料。

14.权利要求13的方法，其中蚀刻所述第一和第二隔离结构包括使用气体，所述气体包括选自高碳含量的气体、高碳和氢含量的气体，及其组合的其中之一。

15.权利要求14的方法，其中所述高碳含量的气体包括C_xF_y气体，其中x≥2和y≥1。

16.权利要求14的方法，其中所述C_xF_y气体包括选自C₂F₆、C₃F₈、C₄F₆和C₅F₈中的一种气体。

17.权利要求15的方法，其中所述高碳和氢含量的气体包括C_xH_yF_z气体，其中x≥1，y≥2和z≥1。