[发明专利]光感测元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光感测元件，其特征在于，所述元件包含：

一基底；

一半导体层，其形成于所述基底上，且其具有一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的本征区；

一绝缘层，其覆盖于所述半导体层上；

一内层介电层，其覆盖于所述绝缘层上，且其具有至少三个孔洞分别曝露出部份所述绝缘层、部分所述第一掺杂区及部分所述第二掺杂区；

二电极，其形成于部份所述内层介电层上，且分别经由所述孔洞的其中二个连接至所述第一掺杂区及所述第二掺杂区。

2.如权利要求1所述的光感测元件，其特征在于，所述内层介电层所具有的所述孔洞的其中一者所曝露出部份所述绝缘层的位置相对于所述本征区、所述本征区及所述第一掺杂区的交界处与本征区及所述第二掺杂区的交界处的至少一者。

3.如权利要求1所述的光感测元件，其特征在于，所述内层介电层所具有的所述孔洞的其中一者所曝露出部份所述绝缘层的宽度大于或等于所述本征区的宽度。

4.如权利要求1所述的光感测元件，其特征在于，所述内层介电层所具有的所述孔洞的其中一者所曝露出部份所述绝缘层的位置相对于所述本征区及所述第一掺杂区的交界处与本征区及所述第二掺杂区的交界处的至少一者。

5.如权利要求4所述的光感测元件，其特征在于，所述光感测元件还包含至少一导电层，其形成于所述绝缘层上，且相对应位于所述本征区之上。

6.如权利要求1所述的光感测元件，其特征在于，所述内层介电层，具有一第一次层及一第二次层。

7.如权利要求6所述的光感测元件，其特征在于，所述第一次层及所述第二次层的材质的至少一者包含无机材质、有机材质、或上述的组合。

8.如权利要求1所述的光感测元件，其特征在于，所述绝缘层的材质，包含无机材质、有机材质、或上述的组合。

9.如权利要求5所述的光感测元件，其特征在于，所述导电层的材质，包含透明材质、反射材质、或上述的组合。

10.如权利要求1所述的光感测元件，其特征在于，所述第一掺杂区的极性不同于所述第二掺杂区的极性。

11.一种形成光感测元件的方法，其特征在于，所述方法包含以下步骤：

提供一基底；

形成一半导体层，于所述基底上，且其具有一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的本征区；

覆盖一绝缘层，于所述半导体层上；

覆盖一内层介电层，于所述绝缘层上，且其具有至少三个孔洞分别曝露出部份所述绝缘层、部分所述第一掺杂区及部分所述第二掺杂区；

形成二电极，于部份所述内层介电层上，且分别经由所述孔洞的其中二个连接至所述第一掺杂区及所述第二掺杂区。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述内层介电层所具有的所述孔洞的其中一者所曝露出部份所述绝缘层的位置相对于所述本征区、所述本征区及所述第一掺杂区的交界处与本征区及所述第二掺杂区的交界处的至少一者。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述内层介电层所具有的所述孔洞的其中一者所曝露出部份所述绝缘层的宽度大于或等于所述本征区的宽度。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述内层介电层所具有的所述孔洞的其中一者所曝露出部份所述绝缘层的位置相对于所述本征区及所述第一掺杂区的交界处与本征区及所述第二掺杂区的交界处的至少一者。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法还包含至少一导电层，其形成于所述绝缘层上，且相对应位于所述本征区之上。

16.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述内层介电层，具有一第一次层及一第二次层。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一次层及所述第二次层的材质的至少一者包含无机材质、有机材质、或上述的组合。

18.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述绝缘层的材质，包含无机材质、有机材质、或上述的组合。