[发明专利]芯片堆栈封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710105830.0 申请日: 2007-05-30
公开(公告)号: CN101315921A 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 林峻莹;潘玉堂;周世文 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台湾新竹县宝山乡*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 堆栈 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片堆栈封装结构,其特征在于,包括:

一基材,该基材具有一第一表面与相对的第二表面;

一第一芯片,位于该基材的该第一表面上,该第一芯片具有一第一主动面与一相对的第一晶背,其中该第一主动面面对该基材,并与该基材电性连接;

一图案化线路层,形成于该第一晶背上且直接接触该第一晶背,并通过至少一打线与该基材电性连结;

一第二芯片,位于该图案化线路层上,具有一第二主动面以及配置于该第二主动面上的至少一第二焊垫,其中该第二焊垫与该图案化线路层电性连接,再经由该打线与该基材电性连接;以及

一封胶树脂,填充于该基材、该第一芯片、该图案化线路层及该第二芯片之间。

2.根据权利要求1所述的堆栈封装结构,其特征在于,该第一主动面具有多个第一焊垫,并由多个凸块,将该些第一焊垫固着并电性连接于该基材。

3.根据权利要求2所述的堆栈封装结构,其特征在于,该基材具有一贯穿开口,将该第一芯片的部分第一主动面暴露出来,且该第一主动面上配置有一散热鳍片,并经由该贯穿开口向外延伸。

4.根据权利要求1所述的堆栈封装结构,其特征在于,该基材具有一贯穿开口,将该第一芯片的部分第一主动面暴露出来,且该第一主动面具有多个第一焊垫,并通过穿过该贯穿开口的至少一打线电性连接至该基材。

5.根据权利要求1所述的堆栈封装结构,其特征在于,该图案化线路层包括多条导线,且每一该些导线的一端与该些第二焊垫的一者匹配并电性连接,另一端则往该第一晶背的边缘延伸。

6.一种芯片堆栈封装结构的制造方法,其特征在于,包括:

提供一基材,该基材具有一第一表面与相对的第二表面;

于该基材的第一表面配置一第一芯片,使该第一芯片面对该基材的一第一主动面与该基材电性连接;

于该第一芯片相对于该第一主动面的一第一晶背上,形成一图案化线路层,该图案化线路层直接接触该第一晶背且包括至少一导线,与欲堆栈于该图案化线路层上的一第二芯片的至少一第二焊垫电性匹配;

形成至少一打线,借以电性连结该图案化线路层与该基材;

于该图案化线路层上配置该第二芯片,并使该第二焊垫电性连接至该导线,再经由该打线与该基材电性连接;以及

使用一封胶体封装该基材、该第一芯片、该图案化线路层及该第二芯片。

7.根据权利要求6所述的堆栈封装结构的制造方法,其特征在于,于该基材上配置该第一芯片的步骤包括:

形成多个凸块,将位于该第一主动面的多个第一焊垫,电性连接于该基材;以及

采用一底胶包覆于该些凸块。

8.根据权利要求6所述的堆栈封装结构的制造方法,其特征在于,提供该基材的步骤还包括:于该基材中形成一贯穿开口,用以将一部分的该第一主动面暴露出来。

9.根据权利要求8所述的堆栈封装结构的制造方法,其特征在于,于该基材上配置该第一芯片的步骤包括:

形成多个凸块,将位于该第一主动面的多个第一焊垫,电性连接于该基材;

采用一底胶包覆于该些凸块;以及

于该第一主动面上配置一散热鳍片,并经由该贯穿开口向外延伸。

10.根据权利要求8所述的堆栈封装结构的制造方法,其特征在于,于该基材上配置该第一芯片的步骤包括:

将该第一芯片固设于该基材的第一表面,并使位于该第一主动面的多个第一焊垫,由该贯穿开口暴露出来;以及

在至少一第一焊垫上形成至少一打线,穿过该贯穿开口,以电性连接至该基材。

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