[发明专利]像素结构与制造方法及含像素结构的光电装置与制造方法

权利要求书

1、一种像素结构，其包含：

一第一基板；

至少一栅极线，设置于该第一基板上；

至少一数据线，设置于该第一基板上，且该数据线与该栅极线相互交错；

至少一薄膜晶体管，设置于该第一基板上，并位于该栅极线上，且该薄膜晶体管分别耦接于该栅极线及该数据线；以及

至少一像素电极，设置于该第一基板上，并耦接该薄膜晶体管的漏极。

2、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该薄膜晶体管的类型包含底栅型或顶栅型。

3、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该像素电极经由一通孔耦接该漏极，且该通孔位于该栅极线上方。

4、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该栅极线中对应于该薄膜晶体管的部分作为该薄膜晶体管的一栅极。

5、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该栅极线中对应于该薄膜晶体管的位置具有一通孔，该栅极线具有一延伸部延伸至该通孔中，以作为该薄膜晶体管的一栅极。

6、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包含：

一第二基板，对应于该第一基板设置，该第二基板具有一公共电极。

7、根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，更包含：

一滤色片层，设置于该第一基板及该第二基板的其中一者上。

8、根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于，更包含：

至少一绝缘层，设置于该第一基板及该第二基板的至少一者上。

9、根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于，更包含：

一缓冲层，设置于该滤色片层之下。

10、根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于，更包含：

一平坦层，其设置于该滤色片层上。

11、根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，更包含：

一黑色矩阵，设置于该第一基板及该第二基板的其中一者上。

12、根据权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该黑色矩阵对应覆盖于部分该像素电极、部分该栅极线及部分该数据线。

13、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包含：

一公共线，与该栅极线平行设置于该第一基板上。

14、根据权利要求1、11或13所述的像素结构，其特征在于，更包含：

至少一遮光层，与该数据线及该栅极线的至少一者平行设置于该第一基板上。

15、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包含：

至少一虚设图案，设置于该第一基板上。

16、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该像素电极上更设置一具介电系数的层。

17、根据权利要求16所述的像素结构，其特征在于，该具介电系数的层包含液晶材料、发光层、或上述的组合。

18、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包含：

至少一储存电容，其电性连接于该薄膜晶体管。

19、一种光电装置，包含如权利要求1所述的像素结构。

20、一种像素结构的制造方法，其包含：

提供一第一基板；

形成至少一栅极线于该第一基板上；

形成至少一数据线于该第一基板上，且该数据线与该栅极线相互交错；

形成至少一薄膜晶体管于该第一基板上，且该薄膜晶体管位于该栅极线上，并分别耦接于该栅极线及该数据线；以及

形成至少一像素电极于该第一基板上，且该像素电极耦接该薄膜晶体管。

21、根据权利要求20所述的方法，其特征在于，更包含：

提供一第二基板，相对于该第一基板，该第二基板具有一公共电极。

22、根据权利要求21所述的方法，其特征在于，更包含：

形成一滤色片层于该第一基板及该第二基板的其中一者上。

23、根据权利要求22所述的方法，其特征在于，更包含：

形成至少一绝缘层于该第一基板及该第二基板的至少一者上。