[发明专利]一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1、一种制备双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)体硅衬底上，热氧化第一二氧化硅层，再淀积第一氮化硅层、第二二氧化硅层、第二氮化硅层和第三二氧化硅层四层结构；

2)存储器版光刻，刻蚀第三二氧化硅层和第二氮化硅层；

3)有源区版光刻，刻蚀第二二氧化硅层、第一氮化硅层和第一二氧化硅层；刻蚀场区的硅；

4)淀积二氧化硅、刻蚀形成侧墙；再次刻蚀场区的硅；各向同性刻蚀硅，使得沟道下的硅都被刻空；去掉侧墙；湿法腐蚀第二氮化硅层；

5)淀积二氧化硅；以第二氮化硅层作为停止层，化学机械抛光平坦化；

6)去第二氮化硅层，刻蚀第二二氧化硅层、第一氮化硅层和第一二氧化硅层；刻蚀硅，形成双鳍型沟道；

7)热氧化隧穿氧化层、淀积氮化硅陷阱层、淀积阻挡氧化层，形成背栅ONO堆栈结构，淀积或溅射背栅材料，形成背栅；

8)腐蚀场区的二氧化硅，露出双鳍型沟道的外侧壁；栅氧化，淀积或溅射前栅材料，形成前栅；

9)栅版光刻，使前栅和背栅自对准；杂质注入，形成n+源和漏；退火激活杂质。

2、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤3)中，刻蚀场区的硅50nm～100nm。

3、如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤4)中，湿法腐蚀氮化硅30nm～60nm。