[发明专利]液晶面板及其制造方法有效
申请号: | 200710106345.5 | 申请日: | 2007-05-17 |
公开(公告)号: | CN101051160A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 范姜士权;林敬桓;张志明 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/133 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶面板 及其 制造 方法 | ||
【技术领域】
本发明关于一种显示器,特别是关于一种具高开口率与高对比度的反射型或半穿半反型液晶显示器。
【背景技术】
随着科技进步,具有省电、无幅射、体积小、低耗电量、平面直角、高解析度、画质稳定等多项优势的液晶显示器,为原先处独占地位的传统映像管(简称CRT)带來了莫大的冲击,尤其是现今各式资讯产品如:手机、笔记型电脑、数字相机、PDA、液晶屏幕等产品越来越普及,亦使得液晶显示器(LCD)的需求量大大提升。
液晶显示器依其光源机制又可分为穿透式、反射式以及半穿半反式三类。其中,穿透式液晶显示器系由背光模块提供光源,具有耗电量过大以及环境光太强(如阳光下)时显示不清等问题。反射式液晶显示器则是以反射电极层取代透明电极层,主要通过外界光线来提供光源,因此毋需背光模块提供光源,可应用于户外大型液晶显示看板或是增加可携式电子产品于户外的解析度等,但因有反射光亮度不均匀导致反射亮度不足的缺点,因此在环境光线不足的情况下无法作用。为了避免上述两种类型液晶显示器的缺点,并充分利用其优点,遂同时具有穿透区及反射区的半穿半反式液晶显示器成为当前首要发展的液晶显示技术之一。
另外,为挑战液晶显示器整体的应用范围,液晶显示器的显示技术更是不断地投入研发來改善。其中,对于同一种液晶分子的排列状态,在不同视角下有效光程差的不同,在画质方面,产业便极力投入发展广视角技术。举例来说,由富士通所发展出的MVA(Multi-Domain Vertical Alignment)技术便能同时改善上下视角到120度左右。近年來由于广视角技术不断被改善,并实际纳入生产线生产,此举已让液晶显示器在视角上的改善丝毫不逊于传统的CRT。
在目前的液晶显示器的技术发展上,以双间隙(dual gap)的半穿半反MVA液晶显示器为例。通常双间隙的半穿半反液晶显示器会在反射区R设置一个调整层121,如图1A所示,此调整层可以设置在彩色滤光片(color filter;CF)基板侧或薄膜晶体管(thinfilm transister;TFT)基板侧。图1A及1B分别显示目前将MVA技术应用于双间隙半穿半反液晶显示器之上视图及横截面示意图。如图1A所示,双间隙半穿半反MVA液晶显示器的基本结构包括一阵列基板11、一彩色滤光片基板12,以及一液晶层13。其中,阵列基板11具有多个次画素区110,每一个次画素区100均设有一反射区R以及一穿透区T。彩色滤光片基板12亦具有多个次画素区120,该些次画素区120分别与阵列基板的多个次画素区110相对应,且每一个次画素区120在与反射区R相对应的位置处均设有一调整层121。液晶层13则设于阵列基板11与彩色滤光片基板12之间。
请继续参考图1A,阵列基板11的各个次画素区110内皆设有一薄膜晶体管(thin film transistor;TFT)(未绘示),以及一储存电容111于反射区R的下方。接着形成一平坦层112于阵列基板11之上表面。然后在平坦层112上制作出凹凸的表面于反射区R,再镀上具有高反射率的金属(例如:铝、银…等)当作反射电极113,同时每一个次画素区110的穿透区T亦均设有一透明电极114。值得一提的是,阵列基板11的各次画素区110的反射区R内更具有一接触孔115,用以电性连接反射电极113与储存电容111。另外,彩色滤光片基板12相对于阵列基板11的反射区R与穿透区T的位置上更设有一配向凸起物122(protrusion,简称PR)。由于配向凸起物122会改变电力线的分布,使得液晶分子往配向凸起物122的方向倾斜以产生多区域液晶配向(multi-domains)的效果,而达到广视角的技术,并改善单一区域液晶配向(single-domain)时所存在的灰阶反转的问题。如图1B所示,通常在组立阵列基板11与彩色滤光片基板12时,彩色滤光片基板12更设有一间隙物123(photo spacer,简称PS)来固定面板之间距(cell gap)。并在阵列基板侧11设计多个与间隙物123相对应的平台116,使间隙物123能够更稳定的维持面板间距。
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