[发明专利]具有排列整齐的碳纳米管阵列的散热结构及其制造和应用有效
申请号: | 200710106382.6 | 申请日: | 2007-05-28 |
公开(公告)号: | CN101083234A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
发明(设计)人: | 袁铭辉;张凯 | 申请(专利权)人: | 香港科技大学 |
主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温大鹏;杨松龄 |
地址: | 中国香港*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 排列 整齐 纳米 阵列 散热 结构 及其 制造 应用 | ||
1.一种组装好的半导体结构,包括:
热源;
冷源;
携带热量的扩展结构;
第一和第二相互隔开的排列整齐的碳纳米管阵列,所述第一和第 二碳纳米管阵列分别与所述扩展结构的两个相对的表面热连接; 其中所述第一碳纳米管阵列端接到热源上,所述第二碳纳米管阵 列的一端连接到冷源上;和
周边连接材料,所述周边连接材料仅涂于所述排列整齐的碳纳米 管阵列的至少一些边缘处,同时机械接触所述热源、所述冷源以 及所述扩展结构,从而提供所述热源和所述扩展结构、以及所述 扩展结构和所述冷源之间固定的位置关系,避免因使用粘结层而 额外增加热阻。
2.根据权利要求1所述的组装好的半导体结构,其中所述扩展结构是 运行时用来散热的结构。
3.根据权利要求1所述的组装好的半导体结构,其中所述扩展结构包 括金属、金属氧化物或合金。
4.根据权利要求1所述的组装好的半导体结构,其中所述排列整齐的 碳纳米管阵列,大部分与基底基本垂直。
5.根据权利要求1所述的组装好的半导体结构,其中所述排列整齐的 碳纳米管阵列生长成具有一定图案。
6.根据权利要求1所述的组装好的半导体结构,其中扩展结构是散热 结构,在散热结构面向热源的表面及面向冷源的表面中至少一个表 面上有改性层,用来增强碳纳米管阵列和散热结构表面之间的连接, 以降低它们之间的接触热阻;或增加碳纳米管阵列在散热结构表面 分布的均匀性。
7.根据权利要求1所述的组装好的半导体结构,其中所述冷源是散热 器、流体或环境空气。
8.根据权利要求1所述的组装好的半导体结构,其中所述排列整齐的 碳纳米管阵列暴露在流体中的部分能作为对流传热的翅片。
9.一种热连接方法,包括:
在热源和冷源间以一定的位置关系加入垫片以保证热源和冷源 的间隔;
在热源的第一垂直方向上生长第一排列整齐的碳纳米管阵列;
在冷源的第二垂直方向上生长第二排列整齐的碳纳米管阵列,所 述第二垂直方向与所述第一垂直方向相反;
通过使所述第一碳纳米管阵列进行生长以与生长的第二碳纳米 管阵列相互连接从而将所述冷源和热源连接在一起。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述热源是温度较高的物体。
11.根据权利要求9所述的方法,其中所述热源是运行时产生热量的 半导体器件,或者是相对于散热器来说温度较高的热扩散器。
12.根据权利要求9所述的方法,其中所述冷源是散热器、流体或空 气。
13.根据权利要求9所述的方法,其中所述第一和第二排列整齐的碳 纳米管阵列生长成具有一定的图案。
14.一种热连接方法,包括:
a.在散热器上生长干碳纳米管(CNT)阵列;
b.此后,利用垫片将组装好的电子器件放在与至少一部分所述 干碳纳米管阵列具有一定间距处;以及
c.让所述碳纳米管阵列继续生长,并在所述组装好的电子器件 上生长碳纳米管阵列,以便将两边的碳纳米管阵列相连形成 一个完整的碳纳米管阵列,从而提供从所述器件到散热器的 低热阻传热通路。
15.根据权利要求14所述的方法,其中碳纳米管阵列生长成具有一 定的图案。
16.根据权利要求14所述的方法,其中所述散热器和电子器件至少 一个表面有辅助层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于香港科技大学,未经香港科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710106382.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。