[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，包括静电放电保护元件，所述静电放电保护元件，包括：由形成在半导体衬底的第一导电型阱区域与形成在所述阱区域的第二导电型第一扩散层构成的二极管，其特征在于：

所述第一扩散层的周围被形成在所述阱区域内的第一导电型第二扩散层包围着，

在所述第一扩散层的表面形成有连接在输出入端子的第一接触区域，

在所述第二扩散层的表面形成有连接在基准电压端子的第二接触区域。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

在所述第一扩散层与所述第二扩散层之间形成有绝缘隔离区域。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第一扩散层呈长方形，

所述第二接触区域，仅仅形成在与所述第一扩散层的长边相向的部位。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第二接触区域的端部的位置与沿着所述第一扩散层的长边方向形成的所述第一接触区域的端部的位置对齐。

5.根据权利要求1或者2所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第一扩散层呈长方形，

沿着所述第一扩散层的长边方向形成的所述第一接触区域的端部的面积比其它部位大。

6.根据权利要求1或者2所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第一扩散层呈长方形，

与所述第一扩散层的短边相向的所述第二扩散层的宽度比与所述第一扩散层的长边相向的第二扩散层的宽度窄。

7.根据权利要求1或者2所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第一扩散层呈长方形，

所述第一扩散层的长边一侧的所述第一扩散层与所述第二扩散层的间隔比所述第一扩散层的短边一侧的所述第一扩散层与所述第二扩散层的间隔窄。

8.根据权利要求1或者2所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第一扩散层，分割形成为多个扩散区域，

在所述分割的扩散区域之间也形成有所述第二扩散层。

9.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述分割的扩散区域以一定的间隔布置着。

10.根据权利要求1或者2所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第一接触区域和所述第二接触区域，各自分割形成为多个接触区域。