[发明专利]存储器件和制作该存储器件的方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

至少一个纳米线或纳米管或纳米纤维存取晶体管。

2.权利要求1的存储器件，其中该存储器件是电阻性转换存储器件。

3.权利要求2的存储器件，其中电阻性转换存储器件是相变随机存取存储器。

4.权利要求2的存储器件，其中电阻性转换存储器件是导电桥接随机存取存储器。

5.权利要求2的存储器件，其中纳米线或纳米管或纳米纤维存取晶体管直接接触电阻性转换存储器件的转换活性材料。

6.权利要求5的存储器件，其中纳米线或纳米管或纳米纤维存取晶体管和电阻性转换存储器件的转换活性材料之间的接触区域具有小于1F的宽度和/或长度和/或直径。

7.权利要求5的存储器件，其中纳米线或纳米管或纳米纤维存取晶体管和电阻性转换存储器件的转换活性材料之间的接触区域具有0.1F～1F的宽度和/或长度和/或直径。

8.权利要求5的存储器件，其中纳米线或纳米管或纳米纤维存取晶体管和电阻性转换存储器件的转换活性材料之间的接触区域具有0.2F～0.5F的宽度和/或长度和/或直径。

9.权利要求5的存储器件，其中转换活性材料包括硫族化物或硫族化合物材料。

10.权利要求9的存储器件，其中转换活性材料包括GST化合物材料。

11.一种存储器件，包括：

具有垂直布置的纳米线或纳米管或纳米纤维的至少一个纳米线或纳米管或纳米纤维晶体管。

12.权利要求11的存储器件，其中该存储器件是电阻性转换存储器件。

13.权利要求12的存储器件，其中电阻性转换存储器件是相变随机存取存储器。

14.权利要求12的存储器件，其中电阻性转换存储器件是导电桥接随机存取存储器。

15.权利要求12的存储器件，其中垂直布置的纳米线或纳米管或纳米纤维的一端直接接触电阻性转换存储器件的转换活性材料。

16.权利要求15的存储器件，其中垂直布置的纳米线或纳米管或纳米纤维的另一端直接接触电流线。

17.权利要求11的存储器件，其中晶体管还包括晶体管栅极区域。

18.权利要求17的存储器件，其中晶体管栅极区域是字线的一部分。

19.一种电阻性转换存储器件，包括：

直接接触转换活性材料的纳米线或纳米管或纳米纤维晶体管；以及

改变纳米线或纳米管或纳米纤维晶体管的状态的装置。

20.一种制作存储器件的方法，包括以下步骤：

制作纳米线或纳米管或纳米纤维；以及

制作与纳米线或纳米管或纳米纤维直接接触的转换活性材料。

21.权利要求20的方法，其中纳米线或纳米管或纳米纤维是纳米线或纳米管或纳米纤维晶体管的一部分。

22.权利要求21的方法，其中纳米线或纳米管或纳米纤维晶体管还包括晶体管栅极区域，且其中相对于该晶体管栅极区域自对准地制作该纳米线或纳米管或纳米纤维。

23.权利要求1的存储器件，包括用于存储数据的电容性元件。

24.权利要求23的存储器件，其中存储器件是DRAM存储器件。

25.权利要求1的存储器件，其中晶体管是Si纳米线晶体管。

26.权利要求25的存储器件，其中晶体管包括npn或pnp掺杂的纳米线。