[发明专利]使用倒置晶片投射光学接口的浸渍光刻系统及方法

权利要求书

1.一种液体浸渍光刻系统，其包含：

一曝光系统，其曝光一基底并包含一投射光学系统，所述投射光学系统被置于基底底下，所述投射光学系统包括外壳和透镜组件，所述外壳的顶部和透镜限定一个区，其中在所述外壳的顶部中限定一开口以供投射一影像至所述基底上；

一液体提供机构，用以提供液体于投射光学系统与基底之间，并以液体填充所述区；以及

一接取盆，所述接取盆配置用于抑制泄漏和溢流自所述外壳的顶部的液体，并从所述外壳和所述基底之间去除液体。

2.根据权利要求1的液体浸渍光刻系统，其中液体提供机构得以形成一液体凹凸面于投射光学系统之上。

3.根据权利要求1的液体浸渍光刻系统，其中液体提供机构得以形成一喷泉头于投射光学系统之上。

4.根据权利要求1的液体浸渍光刻系统，其中投射光学系统包含：

一外壳，其中安装有多个透镜，该外壳包含一介于多个透镜的一最高透镜与外壳的顶部之间的压力区；

一开口，其位于外壳的顶部中；及

一液体封盖，其介于多个透镜的最高透镜与压力区之间。

5.根据权利要求4的液体浸渍光刻系统，其中介于基底与外壳顶部之间的距离约为50-150微米。

6.根据权利要求4的液体浸渍光刻系统，其中介于基底与外壳顶部之间的距离介于50微米与500微米之间。

7.根据权利要求4的液体浸渍光刻系统，其中外壳的顶部具有一疏水表面。

8.根据权利要求1的液体浸渍光刻系统，其中液体提供机构仅于需要湿式曝光时选择性地提供液体。

9.根据权利要求1的液体浸渍光刻系统，其中电磁辐射为193纳米。

10.一种液体浸渍光刻系统，其包含：

一曝光系统，其包含一投射光学系统，所述投射光学系统包括一外壳，在所述外壳中安装有多个透镜，在所述外壳的顶部中限定一开口；及

一液体供应系统，其得以提供液体于投射光学系统与基底之间，

其中液体供应系统得以形成一液体凹凸面于投射光学系统之上，

其中，该外壳包含一介于多个透镜的一最高透镜与外壳的顶部之间的压力区、而一液体封盖介于多个透镜的最高透镜与压力区之间。

11.根据权利要求10的液体浸渍光刻系统，其中所述外壳具有得以捕取偏离液体的至少一个接取盆。

12.根据权利要求10的液体浸渍光刻系统，其中外壳的顶部具有一疏水表面。

13.根据权利要求10的液体浸渍光刻系统，其中液体供应系统仅于需要湿式曝光时选择性地提供液体。