[发明专利]形成在晶片外周部的环状加强部的确认方法及确认装置有效
申请号: | 200710106550.1 | 申请日: | 2007-06-01 |
公开(公告)号: | CN101083219A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
发明(设计)人: | 关家一马 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B9/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 晶片 外周部 环状 加强 确认 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及对环状的加强部的宽度尺寸进行确认的方法以及确认装置,该环状的加强部是在具备表面上形成有多个器件(device)的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的背面磨削该器件区域而形成规定的厚度、并且残留晶片的背面的与该外周剩余区域对应的区域而形成的。
背景技术
在半导体器件制造工序中,在大致圆板形状的半导体晶片的表面上通过以栅格状排列的称作切割道(streets)的预分割线划分多个区域,在该划分的区域中形成IC、LSI等的器件。并且,通过将半导体晶片沿着切割道切断,将形成有器件的区域分割来制造各个半导体芯片。此外,通过将在蓝宝石基板的表面上层叠有氮化镓类化合物半导体等的光器件晶片也沿着切割道切断而分割为各个发光二极管、激光二极管等的光器件,被广泛用于电气器件中。
上述那样分割的晶片在沿着切割道切断之前将背面通过磨削或蚀刻而形成为规定的厚度。进而,为了达到电气器件的轻量化、小型化,要求将晶片的厚度形成为50μm以下。
然而,如果将晶片的厚度形成为50μm以下,则变得容易损坏,有晶片的输送等的处理变得困难的问题。
为了解决上述问题,本申请人作为特愿2005-165395号而提出了通过对晶片的背面的与器件区域对应的区域进行磨削而将器件区域的厚度形成为规定厚度、并且留下晶片的背面的外周剩余区域而形成环状的加强部、使变薄的晶片的输送等的处理变得容易的晶片的加工方法。
但是,由于晶片的外周剩余区域的宽度距离外周缘2mm左右,是较窄的,所以在通过磨削装置磨削晶片的背面的与器件区域对应的区域时,如果保持晶片的吸盘台的旋转中心与晶片的中心不一致,则不能形成均匀的宽度的环状的加强部。在形成于晶片的外周剩余区域的环状的加强部不是均匀的宽度的情况下,有在环状的加强部的宽度较大的区域中不能将器件区域的厚度磨削为规定的厚度的问题。因而,期望能够确认环状的加强部的宽度是否形成在容许范围内。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而做出的,其主要的目的是提供一种能够容易地确认形成在晶片的外周剩余区域的环状的加强部的宽度是否形成在容许范围内的形成于外周部上的环状加强部的确认方法及确认装置。
为了解决上述主要的问题,根据本发明,提供一种形成在晶片的外周部上的环状加强部的确认方法,对环状的加强部的宽度尺寸进行确认,该环状的加强部是将具备在表面上形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的背面的与该器件区域对应的区域磨削而形成规定的厚度、并且残留晶片的背面的与该外周剩余区域对应的区域而形成的,其特征在于,
将背面上形成有环状的加强部的晶片的表面侧保持在可旋转地构成的保持台上,每当使该保持台转动规定角度时,通过摄像机构对环状的加强部进行摄像,确认环状的加强部的宽度是否形成在容许范围内。
此外,根据本发明,提供一种对形成在晶片的外周部上的环状加强部的宽度尺寸进行确认的确认装置,该环状的加强部的宽度尺寸进行确认,该环状的加强部是将具备在表面上形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的背面的与该器件区域对应的区域磨削而形成规定的厚度、并且残留晶片的背面的与该外周剩余区域对应的区域而形成的,其特征在于,该确认装置具备:
保持台机构,具备保持晶片并可旋转地构成的保持台和检测该保持台的转动位置的台位置检测机构;
摄像机构,对保持在该保持台上的晶片的外周区域进行摄像;以及
控制机构,根据由该摄像机构摄像的图像信息,求出形成在晶片的外周区域上的环状的加强部的宽度尺寸,并判断该宽度尺寸是否在容许范围内。
发明效果
根据本发明,由于能够容易地确认是否存在形成于晶片的外周部上的环状的加强部的宽度比容许范围大的区域,所以在存在环状的加强部的宽度尺寸比容许范围大的区域的情况下,由于器件区域的一部分没有形成为规定的厚度,所以能够判断为不合格品而再次磨削修正。因而,能够防止器件的不合格品的产生。
附图说明
图1是装备有按照本发明构成的形成于晶片的外周部上的环状加强部的确认装置的磨削装置的立体图。
图2是由图1所示的磨削装置加工的半导体晶片的立体图。
图3是表示在图2所示的半导体晶片的表面上粘贴有保护部件的状态的立体图。
图4是装备在图1所示的磨削装置的形成于晶片的外周部上的环状加强部的确认装置的结构框图。
图5是表示由图1所示的磨削装置实施的凹部粗磨削工序的说明图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造