[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

(a)制备布线基片，该布线基片在经由用于电力供给的引出线提供电源以及在具有形成于主表面内的多个键合电极、形成于与主表面相对的背表面的多个连接盘部分、形成于主表面的键合电极的内部区域且用于电力供给的公用布线、和以公用布线电连接的用于电力供给的多个引出线的布线基片器件区内的每个布线和电极上形成镀层后，通过分离公用布线和用于电力供给的引出线形成的；

(b)在布线基片的主表面上安装半导体芯片；

(c)电耦合半导体芯片的电极和布线基片的键合电极；以及

(d)在布线基片的连接盘部分内形成外引脚。

2.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中

公用布线以环形形成。

3.根据权利要求2的半导体器件的制造方法，其中

在步骤(a)中制备的布线基片是一种环形公用布线及其内部区域被从中去除的基片。

4.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中

用于电力供给的与公用布线相连并延伸到且存在于布线基片末端部分的引出线被布置于主表面的角部分处。

5.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中

布线基片包括被与平面方向上的连接盘相连的引出线拉出并布置的第一过孔部分，以及布置于连接盘部分之上的第二过孔部分。

6.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中

在步骤(a)中制备的布线基片是一种通过刻蚀完成公用布线和用于电力供给的引出线的切割分离的基片。

7.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中

其中通过刻蚀完成公用布线和用于电力供给的引出线的切割分离的布线基片制备于步骤(a)，半导体芯片安装于布线基片的主表面上，使得通过刻蚀形成的凹陷可以在步骤(b)中被覆盖。

8.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中

连接盘部分以多行的形式形成于布线基片的背表面，最内圈的连接盘部分以及多行中从内数的第二行被与上述连接盘部分相连的引出线拉出到平面方向，并与过孔部分相连，进而用于电力供给并延伸到且存在于内侧而且与公用布线相连的引出线与过孔部分在主表面上相连。

9.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中

与用于电力供给的引出线相连的每个连接盘部分为用于信号的连接盘部分。

10.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中

在用于电力供给的引出线中，为电源或接地的用作电力供给的多个引出线与公用布线的一部分相连。

11.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中

连接盘部分以5行形式形成于布线基片的背表面。

12.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中

连接盘部分以5行形式形成于布线基片的背表面，用于电力供给且延伸到并存在于布线基片的末端部分的引出线与5行中的最外圈的连接盘部分相连。

13.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中

连接盘部分以5行形式形成于布线基片的背表面，5行中从外数第二行和第三行的连接盘部分被与上述连接盘部分相连的引出线拉出到平面方向，并与过孔部分相连，进而用于电力供给并延伸到且存在于布线基片的末端部分的引出线与过孔部分在主表面处相连。

14.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中

连接盘部分以5行形式形成于布线基片的背表面，最内圈的连接盘部分，以及5行中从内数的第二行被与上述连接盘相连的引出线拉出到平面方向，并与过孔部分相连，进而用于电力供给并延伸到且存在于内侧并与公用布线相连的引出线和过孔部分在主表面处相连。

15.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中

在步骤(c)之后，进行树脂密封，并且半导体芯片被树脂体覆盖。