[发明专利]半导体器件、切断电熔丝的方法以及确定电熔丝状态的方法无效

专利信息
申请号: 200710106567.7 申请日: 2007-06-06
公开(公告)号: CN101086982A 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: 上田岳洋 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525;H01L21/768;H01L21/66
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 关兆辉;陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 切断 电熔丝 方法 以及 确定 丝状
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

半导体衬底;和

电熔丝,其形成在所述半导体衬底上,并包括第一导体和与所述第一导体电分离的第二导体;

其中在切断处理后的所述电熔丝的状态下,所述第一导体被切断并分成与所述第二导体电分离的第一部分和包括流动区域的第二部分,构成第一导体的材料从该流动区域向外流动且该流动区域电连接到所述第二导体。

2.根据权利要求1的半导体器件,还包括:

确定单元,其在所述第一导体的所述第一部分接地的状态下,将预定的第一电位施加到所述第二部分并检测所述第二部分的电位,如果所述第二部分的电位高于参考电位,则确定已经对电熔丝进行了切断处理,而如果所述第二部分的电位低于所述参考电位,则确定未对电熔丝进行切断处理;以及

电位施加单元,其将预定的第二电位施加到所述第二导体。

3.根据权利要求1的半导体器件,还包括:

确定单元,其在所述第一导体的所述第二部分接地的状态下,将预定的第三电位施加到所述第二导体并检测所述第二导体的电位,如果所述第二导体的电位低于参考电位,则确定已经对电熔丝进行了切断处理,而如果所述第二导体的电位高于所述参考电位,则确定未对电熔丝进行切断处理。

4.根据权利要求2的半导体器件,还包括:

多个所述电熔丝;

对应于所述多个电熔丝而提供的多个所述确定单元;以及

第一公共互连,其将所述多个电熔丝的每一个的所述第一导体的所述第一部分共同连接。

5.根据权利要求3的半导体器件,还包括:

多个所述电熔丝;

对应于所述多个电熔丝而提供的多个所述确定单元;以及

第一公共互连,其将所述多个电熔丝的每一个的所述第一导体的所述第一部分共同连接。

6.根据权利要求1的半导体器件,还包括:

多个所述电熔丝;

对应于所述多个电熔丝而提供的多个确定单元,所述多个确定单元的每一个在所述第一导体的所述第一部分接地的状态下,将预定的第一电位施加到所述第二部分,并检测所述第二部分的电位,如果所述第二部分的电位高于参考电位,则确定已经对所述多个电熔丝的相应的一个进行了切断处理,以及如果所述第二部分的电位低于所述参考电位,则确定未对所述多个电熔丝的相应的一个进行切断处理;以及

第二公共互连,其将所述多个电熔丝的每一个的所述第二导体共同连接。

7.根据权利要求1的半导体器件,还包括:

包括多个所述电熔丝的电熔丝组;

第二公共互连,其将所述多个电熔丝的每一个的所述第二导体共同连接;以及

在所述多个电熔丝中提供的确定单元,其在所述多个电熔丝的每一个的所述第一导体的所述第二部分接地的状态下,通过所述第二公共互连将预定的第四电位施加到所述第二导体并检测所述第二公共互连的电位,如果所述第二公共互连的电位低于参考电位,则确定已经对所述电熔丝组进行了切断处理,以及如果所述第二公共互连的电位高于所述参考电位,则确定未对电熔丝组进行切断处理。

8.根据权利要求6的半导体器件,还包括:

第一公共互连,其将所述多个电熔丝的每一个的所述第一导体的所述第一部分共同连接。

9.根据权利要求7的半导体器件,还包括:

第一公共互连,其将所述多个电熔丝的每一个的所述第一导体的所述第一部分共同连接。

10.一种切断电熔丝的方法,该电熔丝形成在半导体衬底上,并包括第一导体和与所述第一导体电分离的第二导体,该方法包括:

使预定电流流过所述第一导体,通过使构成第一导体的材料向外流动而形成电连接到所述第二导体的流动区域,且切断所述第一导体,并将第一导体分成与所述第二导体电分离的第一部分和包括所述流动区域的第二部分。

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