[发明专利]用于分割材料的装置和方法无效
申请号: | 200710106581.7 | 申请日: | 2001-10-17 |
公开(公告)号: | CN101066616A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
发明(设计)人: | 拉尔夫·哈默;拉尔夫·格鲁斯兹恩斯基;安德烈·克莱恩维希特;提罗·弗拉德 | 申请(专利权)人: | 弗赖贝格化合物原料有限公司 |
主分类号: | B28D5/02 | 分类号: | B28D5/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 谢志刚 |
地址: | 德国弗*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 分割 材料 装置 方法 | ||
1.用于将材料切割成单个晶片的方法,其中,
所述材料(1)由切割圆盘(2)通过旋转地切入到所述材料(1)中进行切割,
其特征在于,
在切割操作过程中供给一种冷却润滑剂,并且
在通过切割操作从所述材料上切割下来一个单个晶片之后,将一种净化剂直接供给到所述切割边缘上。
2.根据权利要求1所述的用于将材料切割成单个晶片的方法,其特征在于,
在金属芯片的表面上形成冷却润滑剂滴;
由于切割操作被剥离的材料被所述滴吸收;
通过所述滴在金属芯片的表面上的分配使剥离的材料散布,从而不会由于剥离的材料的堆积而在金属芯片和材料之间发生接触。
3.根据权利要求1或2所述的用于将材料切割成单个晶片的方法,其特征在于,在切割操作过程中,从旋转方向上看,仅在所述切割圆盘(2)穿过所述材料(1)的通路之后的离开侧供给所述冷却润滑剂。
4.根据权利要求1至3之一所述的用于将材料切割成单个晶片的方法,其特征在于,在切割操作之后,在通过切割操作从所述材料(1)上切割下来一个单个晶片(1a)之后,并且在该单个晶片从切割圆盘(2)移开或切割圆盘从该单个晶片移开之后,供给净化剂。
5.根据权利要求1至4之一所述的方法,其特征在于,所述方法用于一种单晶体的内孔切割。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在冷却时供给一定量的冷却润滑剂,在净化时供给相对于上述一定量更大量的冷却润滑剂。
7.根据权利要求1至5之一所述的方法,其特征在于,给所述切割圆盘(2)供给一种气态介质。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,沿着所述切割圆盘的旋转方向看,在所述切割圆盘从所述材料中出来之后供给所述气态介质。
9.根据权利要求1至5之一所述的方法,其特征在于,使用一种带有添加剂的冷却润滑剂,所述添加剂增加表面张力。
10.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述方法用于单晶体的内孔切割。
11.根据权利要求1、2或10所述的方法,其特征在于,以小体积流速供给冷却润滑剂,而以相对于所述冷却润滑剂的小体积流速而言较大的体积流速供给净化剂。
12.用于将材料切割成单个晶片的装置,所述装置包括:
一个切割圆盘(2),所述切割圆盘(2)具有一个同心的孔,所述孔的边缘(3)形成一个切割边缘,所述切割圆盘(2)可以围绕其中心轴旋转以用于切割所述材料(1),
一个定位装置,用于相对于切割圆盘对待切割材料(1)如此进行定位,即在切割时,所述切割圆盘旋转地穿过所述材料,以便从所述材料(1)上切割下来一个单个晶片(1a),
一个用于将冷却润滑剂供给到所述切割圆盘(2)上的第一装置(10),
一个用于将净化剂供给到所述切割圆盘(2)的切割边缘上的第二装置(11),
其特征在于,设有一个控制装置,所述控制装置如此地控制所述第一装置(10)和所述第二装置(11),即,使冷却操作和净化操作暂时分开地进行,其中,在切割过程中供给冷却润滑剂,而在切割过程之后在通过切割过程从所述材料(1)上切割下来所述单个晶片(1a)之后,供给净化剂。
13.根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述控制装置如此地构成,即:以小体积流速供给冷却润滑剂,而以相对于所述冷却润滑剂的小体积流速而言较大体积流速供给净化剂。
14.用于将材料切割成单个晶片的方法,其中:
所述材料(1)由切割圆盘(2)通过旋转地切入到所述材料(1)中进行切割,
其特征在于,当在切割操作过程中供应冷却润滑剂时;
在金属芯片的表面上形成冷却润滑剂滴;
由于切割操作被剥离的材料被所述滴吸收;
通过所述滴在金属芯片的表面上的分配使剥离的材料散布,从而不会由于剥离的材料的堆积在金属芯片和材料之间发生接触。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,在通过切割操作从所述材料上切割下来一个单个晶片之后,将一种净化剂直接供给到所述切割边缘上。
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