[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，包括：

一基板；

一扫描线，配置于该基板上；

一数据线，配置于该基板上，且该扫描线与该数据线在该基板上定义出一第一区域以及一第二区域，其中该扫描线位于该第一区域与该第二区域之间；

一第一开关元件，电性连接至该扫描线与该数据线；

一第二开关元件，电性连接至该扫描线与该数据线；

一第一像素电极，配置于该第一区域上，并与该第一开关元件电性连接；

一第二像素电极，配置于该第二区域上，并与该第二开关元件电性连接；

一第一弯折像素电极，配置于该第二区域上；

一第一连接导体层，配置于该扫描线上方，并电性连接该第一弯折像素电极与该第一像素电极；

一第二弯折像素电极，配置于该第一区域上；

一第二连接导体层，配置于该扫描线上方，并电性连接该第二弯折像素电极与该第二像素电极；

一第一共用配线，配置于该第一像素电极下方，且该第一像素电极与该第一共用配线之间构成一第一储存电容；以及

一第二共用配线，配置于该第二像素电极下方，且该第二像素电极与该第二共用配线之间构成一第二储存电容。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，输入至该第一共用配线与该第二共用配线的电压不相同，以使该第一与第二储存电容所产生的耦合电压差不相同。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一与第二弯折像素电极分别包括至少一弯折部与多个自该弯折部延伸出来的延伸部。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一像素电极及该第一弯折像素电极的总面积与该第二像素电极及该第二弯折像素电极的总面积的比例为1∶1。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一像素电极及该第一弯折像素电极的总面积与该第二像素电极及该第二弯折像素电极的总面积的比例为2∶1。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一连接导体层与该第一像素电极为相同膜层。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括多个第一接触窗，位于该第一连接导体层的两端，而该第一连接导体层经由该些第一接触窗分别电性连接至该第一像素电极及该第一弯折像素电极，且该第一连接导体层与该数据线为相同膜层。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括一第一半导体层，配置于该第一连接导体层与该扫描线之间。

9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第二连接导体层与该第二像素电极为相同膜层。

10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括多个第二接触窗，位于该第二连接导体层的两端，而该第二连接导体层经由该些第二接触窗分别电性连接至该第二像素电极及该第二弯折像素电极，且该第二连接导体层与该数据线为相同膜层。

11.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括一第二半导体层，配置于该第二连接导体层与该扫描线之间。

12.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一共用配线配置于该第一像素电极的边缘的下方。

13.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第二共用配线配置于该第二像素电极的边缘的下方。

14.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一开关元件与该第二开关元件具有共同的源极。

15.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一像素电极、该第二像素电极、该第一弯折像素电极以及该第二弯折像素电极具有多个狭缝。