[发明专利]铁电体电容器、铁电体电容器的制造方法、铁电体存储器

权利要求书

1.一种铁电体电容器，其特征在于，包括：

基板；

第一电极，形成于所述基板的上方；

第一铁电体层，形成于所述第一电极的上方，由用Pb(Zr，Ti)O₃表示的复合氧化物构成；

第二铁电体层，形成于所述第一铁电体层的上方，是用Pb(Zr，Ti)_1-xNb_xO₃表示的复合氧化物，并且由利用所述第一铁电体层的结晶取向性取向生长而形成的层构成，其中0.1≤x≤0.3；以及

第二电极，形成于所述第二铁电体层的上方。

2.根据权利要求1所述的铁电体电容器，其特征在于，

所述第二铁电体层还包含0.5mol％以上的Si、或Si及Ge。

3.根据权利要求1所述的铁电体电容器，其特征在于，

所述第二铁电体层与所述第一铁电体层相比，其膜厚更小。

4.根据权利要求1所述的铁电体电容器，其特征在于，

所述第二电极具有形成于所述第二铁电体层上的氧化铱层、以及形成于所述氧化铱层上的铱层。

5.根据权利要求1所述的铁电体电容器，其特征在于，

所述第一电极具有从铂层、铱层以及氧化铱层中选择的至少一层。

6.一种铁电体电容器的制造方法，其特征在于，包括：

在基板的上方形成第一电极的工序；

在所述第一电极的上方，用化学蒸汽沉积法形成用Pb(Zr，Ti)O₃表示的复合氧化物构成的第一铁电体层的工序；

在所述第一铁电体层的上方，用溶液法形成用Pb(Zr，Ti)_1-XNb_XO₃表示的复合氧化物构成的第二铁电体层的工序，其中0.1≤x≤0.3；以及

在形成所述第二铁电体层的工序之后，在所述第二铁电体层的上方形成第二电极的工序，

其中，形成所述第二铁电体层的工序包括：

将所述第二铁电层的前体组合物涂敷在所述第一铁电体层上的工序；以及

将涂敷的所述前体组合物结晶化的工序。

7.根据权利要求6所述的铁电体电容器的制造方法，其特征在于，

所述第一铁电体层是通过金属有机化学蒸汽沉积法形成的。

8.根据权利要求6所述的铁电体电容器的制造方法，其特征在于，所述第二铁电体层是通过溶胶·凝胶法形成的。

9.一种铁电体存储器，其特征在于，包含：

根据权利要求1～5中任一项所述的铁电体电容器。