[发明专利]一种访问与非型闪存的系统及方法

说明书

技术领域

本发明涉及闪存技术，尤指一种访问与非型闪存(NAND Flash)的系统及方法。

背景技术

对NAND Flash的访问通常包括三个周期：命令周期、执行周期和状态周期。在命令周期中，NAND Flash接收来自控制器的执行操作的命令；在执行周期中，NAND flash执行接收到的命令；在状态周期中，控制器从NANDFlash读取命令执行的结果。

对NAND Flash的基本操作有读操作、擦除操作和编程操作。操作过程分别是：

执行读操作时，控制器在命令周期向NAND Flash发出读命令，NANDFlash在执行周期将要读取的页读出，在状态周期控制器就可以从NANDFlash读到数据；执行擦除操作时，控制器在命令周期向NAND Flash发出擦除命令，NAND Flash在执行周期将要擦除的块擦除，在状态周期控制器判断擦除是否成功；执行编程操作时，控制器在命令周期向NAND Flash发出编程命令并将要编程的数据发给NAND Flash，NAND Flash在执行周期执行编程操作将数据写到存储单元，在状态周期控制器判断编程是否完成。

图1是现有对NAND Flash操作的系统拓扑结构示意图，如图1所示，该系统包括控制器和NAND Flash，NAND Flash与控制器之间通过输入/输出(I/O)数据信号、控制信号和片选信号连接，各片NAND Flash的I/O数据信号和控制信号是共享的，而每片NAND Flash的片选信号是独立的。图1中包括一片控制器，N片NAND Flash，其中NAND Flash_1、NAND Flash_2、...、NAND Flash_n均通过共享的I/O信号和控制信号与控制器相连接，NANDFlash_1、NAND Flash_2......NAND Flash_n分别通过各自的片选信号即片选信号1、片选信号2......片选信号n与控制器连接。

当控制器要访问某片NAND Flash时，控制器会发出针对该片NANDFlash的片选信号，比如控制器需要从NAND Flash_2读取数据时，控制器发出片选信号2即片选信号2有效，然后通过控制信号线向NAND Flash_2发出读取命令，接着进入执行周期，直到状态周期控制器再将数据读出。如果控制器还需要从NAND Flash_n中读取数据，只能是在控制器从NAND Flash_2中读取完数据之后，再重复上面的读取过程从NAND Flash_n中读取数据。也就是说，控制器对自身连接的多片NAND Flash是采用顺序访问的方式进行访问的，如图2所示，图2是现有访问NAND Flash的过程示意图。

这种对多片NAND Flash顺序访问的方法对控制器的要求比较简单，而且要增加NAND Flash的数量时扩展比较简单，结构简单。现有方法虽然结构比较简单，控制器也比较容易实现，但是，由于控制器对自身连接的多片NAND Flash是采用顺序访问方式，因此，在对存储容量要求尽可能大时，严重降低了控制器对NAND Flash的访问速度，也就是说无论控制器连接单片还是多片NAND Flash，性能都只有单片的性能，从而难以满足高性能大容量的设备需求。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提供一种访问与非型闪存的系统及方法，能够提高对NAND Flash的访问速度，满足高性能大容量设备的需求。

为达到上述目的，本发明实施例的技术方案具体是这样实现的：

一种访问与非型闪存NAND Flash的系统，包括控制器和至少两片与非型闪存；

各片与非型闪存与所述控制器之间通过输入/输出数据信号、控制信号和片选信号连接，各片与非型闪存的输入/输出数据信号共享，各片与非型闪存的控制信号共享，而各片与非型闪存的片选信号是独立的；

所述控制器检测所述与非型闪存所处访问周期的状态，并在所述与非型闪存中的一片处于执行周期时，所述控制器向所述与非型闪存中的其它需要访问的与非型闪存芯片发出操作命令。

一种访问与非型闪存的方法，在包括控制器和至少两片NAND Flash的系统中，该方法包括：控制器检测与非型闪存的状态；

在所述与非型闪存中的一片处于执行周期时，对应控制器向自身连接的与非型闪存中的其它需要访问的芯片发出操作命令；